Цитата:

Журнал РАДИОЛОЦМАН, ноябрь*2019 Gregory Mirsky Electronic Design Рабочая частота входной цепи корректора коэффициента мощности (ККМ) сетевого источника питания ограничена эффектом Миллера связанного с ней мощного транзистора. Этот эффект присущ любому транзистору, включенному в конфигурации с общим истоком (MOSFET) или общим эмиттером (биполярный транзистор).

Подробнее: Каскодная конфигурация устраняет эффект Миллера в корректоре коэффициента мощности

1. Почему такое схемное решение позиционируется только для ККМ? Я не особо опытен в разработке схем. Это связано с индуктивной нагрузкой силовых ключей? Но индуктивная нагрузка не только в ККМ применяется.

2. Если обнаруживается проявление эффекта Миллера в разрабатываемой схеме, зачем усложнять и удорожать схему применением этих дополнительных деталей, если можно применить другой силовой транзистор, в котором не станет эффект Миллера защёлкивать транзистор?

3. Поначалу, посмотрев на подключение затвора Q2 кажется, что Q2 будет всегда открыт, ведь на него тупо подаётся постоянка 15V. В статье говорится:

"При работе напряжение стока транзистора Q1 изменяется всего лишь в пределах Vcc"

Если бы Q2 был всегда открыт (как мне поначалу казалось), на Q1 поступило бы высокое напряжение V через дроссель L, а не Vcc, как говорится в статье. Значит, при закрытии Q1 закрывается и Q2?

Сперва подумал, при закрытии Q1 исток Q2 оказывается "брошенным в воздухе", пропадает разница напряжений затвор-исток Q2, и тот закрывается. Но ведь Q2 должен закрыться быстро, а не медленно рассасывать накопленные заряды затвора.

Думал даже макетку собрать для изучения схемы, но всё же решил спросить. Не понимаю, объясните на пальцах, пожалуйста, как закрывается Q2?

Тоже было бы интересно услышать разъяснения. Сразу не понял принципа работы.

Обычная каскодная схема. Оба транзистора включены последовательно, поэтому ток стока Q1 и ток истока Q2 одинаковы. Q1 закрывается быстро из-за низкого напряжения стока. При закрытии Q1 закроется и Q2, т.к. прекратится ток истока.
Недостатком является необходимость двух мощных транзисторов и увеличенное из-за этого сопротивление насыщения.