По просьбе Стаса набросал схемку:

Управление в простейшем случае - один ЗГ + управляющие ключи(по числу трансформаторов).
Первое, что приходит на ум - NE555. Дёшево и сердито.
Резистор в цепи затвора, как подметил RVRSS, надо поболее. Но на практике должно хватить 100ом. Во-первых ёмкость затвора - около 4 нф, во вторых разряжается она по экспоненте, в третих - ИГБТ остаётся открытым и при снижении напряжения на затворе до 7-8 вольт.

555 - вещь известная и заслуженно уважаемая, но базовая версия работает в лучшем случае до 1 МГц (время задержки переключения может достигать 0,3 мксек).
Я как-то пытался на обычном 555 делать задающий генератор для импульсного стабилизатора с частотой 500 кГц - пришлось немало помучиться, чтобы он правильно заработал.
Сейчас правда уже есть несколько улучшенные версии - можно поинтересоваться у продавцов при необходимости, что за новинки имеются в доступе и на что они способны.
После генератора еще понадобятся какие-то логические схемы, пропускающие его импульсы на выход только при наличии соответствующего управляющего сигнала (можно в принципе на такой же "логике" и генератор собрать).

Про емкость затвора на уровне 4 нФ - спорить не буду, т.к. уже писал, что точно не знаю параметров примененных транзисторов, но интересно было бы узнать какой-нибудь пример транзистора на напряжение 600 В с такой емкостью.
Я встречал нечто подобное только у очень низковольтных и мощных полевиков.
Вот один из "самых-самых" IRF1404 имеет входную емкость свыше 7 нФ, но это транзистор на 40 В и 160 А!

Процессы зарядки-разрядки емкости через резистор действительно дают изменение напряжения по экспоненциальному закону, но что это по существу меняет?
Разрядка сначала идет быстрее, потом медленнее, чем при постоянном токе - как мне кажется, этот начальный этап в данном случае даже более важен.
Что же касается напряжения открывания, то ведь его не зря стараются делать побольше (в данном случае исходный номинал кажется принят равным 15 В?) - это нужно для уменьшения статических потерь (иначе и применяли бы только 7-8 В), поэтому я бы делал расчеты исходя из напряжения управления не менее 10 В, да и это будет всего лишь компромиссный, а не лучший вариант.
Подробнее можно уточнить по описанию конкретного типа транзисторов.

Разнице напряжения между 15 В и 10 В соответствует длительность паузы, немного меньше, чем половина постоянной времени разрядной цепи - точнее можно расчитать по тому же экспоненциальному закону.
Если приблизительно принять длительность открывающего импульса и паузы равными для правильной работы трансформатора (хотя тут есть небольшой резерв, из которого можно еще немного выжать), то получим, что период открывающих импульсов должен быть примерно равен постоянной времени разрядной цепи.
Для примера: 4 нФ * 100 Ом = 400 нсек (частота соответственно 2,5 МГц), другой пример: 1 нФ * 1кОм = 1 мксек (частота 1 МГц).

При этом еще надо иметь ввиду, что каждое сопротивление на затворе создает нагрузку для трансформатора, которую должен быть способен выдержать выходной ключ на управляющей стороне и ее источник питания.
При напряжении 15 В и сопротивлении равном 100 Ом на каждый силовой транзистор придется около 2 Вт, а всего их по идее одновременно может работать 8 штук (по два сдвоенных ключа для направления и для скорости), итого 16 Вт, не учитывая еще неидеальный КПД цепей управления!
Я в своем примере с оптронами поэтому применил резисторы по 1 кОм, правда их увеличение ведет к повышению динамических потерь и к опасности перегрузки при более медленном переключении (опять же надо уточнить возможный предел по описанию конкретных транзисторов) - видимо, оптимальный компромисс где-то посередине.

да я бы, возможно так и сделал если бы не пару мощных факторов, таких же мощных как IGBT
1 это то что в теме написаны именно транзисторы и она согласованна на самом верхнм уровне. 2 мне в конце недели здавать, а это значит что начать всё с начала

Ну, тогда можно делать именно так, как написано и выставить дураками дающих такие задания, показав получившееся количество трансформаторов или оптронов с независимыми источниками питания.

RVRSS, Не согласен с твоим расчётом. Ну, теоретически - всё правильно. А эксперимент показал, что 330 ом не успевает закрыть транзистор на частоте уже 200 кгц и Uупр=12в.
Транзистор - IRFZ44, ёмкость по даташиту - 3 с хвостиком нанофарады. Причём - ток стока даже не изменяется, следовательно транзистор остаётся полностью открытым. (смотрел осциллографом).
Что касается упраления - то я предлагаю ставить 555+мощьный п-н-п транзистор, и кидать на него первичные обмотки всех трансформаторов. А вторые концы обмоток - на коллекторы мощных н-п-н транзисторов, которые будут включать тот или иной трансформатор.
Впрочем, можно использовать полевики, но это - из пушки по воробьям. мощность 16 ватт в ключевом режиме потянут даже кт 816/817. ИМХО.

jopp, для выяснения истинного положения дел по данному вопросу надо сначала определитьься, что мы понимаем под обсуждаемыми терминами - одно и тоже или все-таки разные вещи.

Цитата:

Ну, теоретически - всё правильно. А эксперимент показал,...

Если моя теория действительно расходится с практикой (в чем я совсем не уверен исходя из той же разности в терминологии), то какие тогда расчеты дают соответствующие практике результаты?
Или предлагается от них вообще отказаться, полностью перейдя на принцип проектирования типа: взять номинал с потолка, а потом смотреть, что из этого получилось?
В принципе я не только не против того, чтобы проверять все проекты на практике - наборот, я как раз очень ярый сторонник этого способа, и нелюблю полагаться на так модную сейчас виртуальную проверку, но если перед созданием проекта не произвести расчетов, при том по правильной методике, то результат может получиться очень далеким от ожидаемого.
Так что если расчеты неправильные, то надо не отказываться от них в пользу тыкательного метода, а предложить правильный метод расчета!

Возвращаемся к результатам экспериментов и определению однозначности терминов.
Чтобы не входить в слишком распространенное выяснение всех тонкостей, возьмем за основу представленные экспериментальные данные.

Цитата:

...эксперимент показал, что 330 ом не успевает закрыть транзистор на частоте уже 200 кгц и Uупр=12в.

А что понимается под термином "закрыть"?
И какая при этом была скважность импульсов?

Цитата:

Транзистор - IRFZ44, ёмкость по даташиту - 3 с хвостиком нанофарады.

Как я понимаю, в данном проекте будут применяться транзисторы на напряжение 600 В, а у представленного примера оно примерно в 10 раз меньше.
Из имеющихся у меня описаний самый мощный полевик на 600 В имеет типовую емкость затвора почти 1,5 нФ (FQx12N60), у менее мощных она соответственно еще меньше.

Цитата:

Причём - ток стока даже не изменяется, следовательно транзистор остаётся полностью открытым. (смотрел осциллографом).

Постоянство тока стока еще не является признаком полного открытия транзистора!
Степень открытия определяется эквивалентным сопротивлением транзистора, т.е. падением напряжения на нем в зависимости от тока стока.
При индуктивной нагрузке, имеющей свойство поддерживать текущее значение тока, он может не измениться даже при значительном повышении напряжения на транзисторе (и мощности потерь соответственно!), вплоть до напряжения питания.
Если же речь об активной нагрузке и как ток, так и напряжение на транзисторе остаются постоянными при вышеуказанных условиях эксперимента, то мне было бы очень интересно узнать любое объяснение значительного расхождения между теорией и практикой, т.к. единственный известный мне фактор, который приводит к задержкам при вкл. и выкл. транзисторов, управляемых по затвору, это проходная емкость, или емкость Миллера, но она может проявить себя только во время переходного процесса переключения, когда напряжение на транзисторе меняется, т.е. если это из за нее ток через транзистор остается постоянным в то время, когда по расчетам через постоянную времени входной цепи он уже должен спадать, значит напряжение на транзисторе повышается и он уже начал закрываться!

Поэтому для правильной интерпретации результатов надо, чтобы сам эксперимент был правильно поставлен и описан, т.е.:
1. Какие амплитуда, частота и скважность управляющих импульсов?
2. Какая нагрузка в цепи стока и какое напряжение питания?
3. Как меняются ток транзистора и напряжение на нем во времени?
4. Как при этом соответственно меняется напряжение на затворе?
5. Как это напряжение на затворе соответствует сопротивлению транзистора (хотябы согласно его описанию), т.е. насколько он при этом реально открыт?

Вот когда на этот последний вопрос можно будет ответить положительно, эксперимент можно будет считать удачным.
(при случае я и сам проведу подобный эксперимент - интересно, что у меня получится?)

Ну и в заключении о последних мелочах.
О способе сложения управляющего сигнала с импульсным прямо на обмотках трансформаторов - а что, мне кажется, это очень даже правильный способ, и даже то, что он слегка "топорный", в данном случае как раз к месту, учитывая общий характер устройства!
А вот о идее применения транзисторов из серий 814-819 и им подобных в импульсных схемах у меня самое отрицательное мнение.
Советую попробовать какой-то из них в ключевой схеме хотябы на той же частоте 200 кГц в самых обычных условиях - при 10-15 В, 0,5-2 А при активной нагрузке, можно даже попытаться поставить емкостной ускоритель в базовую цепь - в силу моего скептицизма я уже давно не испытывал эти транзисторы в импульсном режиме, но по давним воспоминаниям им никакие ускорения не помагали работать прилично.

Цитата:

А вот о идее применения транзисторов из серий 814-819 и им подобных в импульсных схемах у меня самое отрицательное мнение.

У меня такое же мнение, но для диплома пойдёт!

Цитата:

1. Какие амплитуда, частота и скважность управляющих импульсов?
2. Какая нагрузка в цепи стока и какое напряжение питания?
3. Как меняются ток транзистора и напряжение на нем во времени?
4. Как при этом соответственно меняется напряжение на затворе?
5. Как это напряжение на затворе соответствует сопротивлению транзистора (хотябы согласно его описанию)

1. Амплитуда, как я уже указал, 12вольт.
частота точно не знаю, но в пределах 200-500 кгц (ЗГ на 555-ой собирал, а там, в даташите, есть таблица частот). Скважность... Честно говоря примерно 55/45, ширина импульса чуть-чуть больше ширины спада. Но не на много. Врядли это повлияло на результат.
2. Напряжение питания - 12 вольт, нагрузка - лампа накаливания, ток - около 1.5А.
3. Измерял напряжение на нагрузке. Ессно - на осциллографе почти прямая линия.
4. В виде прямой линии, с клювиками, направленными вниз.
5. Не смотрел.

Ну вот, теперь уже яснее!
Ток 1,5 А через 50 А-ерный IRFZ44 ?
Так в таком случае падение напряжения на нем по отношению к 12 В питания стремится к нулю!
При сопротивлении открытого канала около 25-30 мОм оно будет не более 50 мВ при данном токе.
Теперь допустим, что в результате уменьшения напряжения на затворе транзистор стал закрываться и его сопротивление увеличилось в 5 раз, а напряжение на нем возросло до примерно 250 мВ.
Это составляет около 2% от 12 В питания - будет это заметно на экране осциллографа?
Сомневаюсь.
Так что эксперимент поставлен некорректно - ведь в реальном проекте врядли можно оправдать применение транзисторов с 30-кратным запасом по току.

Справедливости ради я должен отметить, что мне все-таки приходилось встречать реальные устройства, где для обеспечения нормальной работы при пониженном напряжении питания в БП применялись транзисторы значительно более мощные, чем это требуется исходя из потребляемой мощности (70 А-ерный 70N06 в устройстве с потреблением менее 25 Вт при 12-30 В) - при более низком управляющем напряжении сопротивление транзистора увеличивается в разы, но благодаря большому запасу падение напряжения на нем остается небольшим, примерно на уровне транзистора, соответсвующего устройству по мощности при нормальном управляющем напряжении.
Только вот врядли это пример, достойный подражания.

Таким образом, для выявления истинного положения дел надо или давать транзистору более-менее соответствующую его возможностям нагрузку, или менять ответ мой на последний вопрос:

Цитата:

5. Не смотрел.

Для нормалной работы транзистора напряжение на затворе должно быть не менее 10 В (ИМХО).
Не удивлюсь, если испытанный транзистор мог спокойно тянуть 1,5 А и при 5 В, но при серьезной нагрузке такого управляющего напряжения никак не хватит.

Цитата:

Не удивлюсь, если испытанный транзистор мог спокойно тянуть 1,5 А и при 5 В, но при серьезной нагрузке такого управляющего напряжения никак не хватит.

Я считаю, что теоретический расчёт должен определить ПОРЯДОК номиналов. А точное значение определяется экспериментально.
В любом случае, для любого транзистора, номинал будет лежать в пределах: сотни ОМ - единицы кОМ. Это я и пытался сказать. Без обид

Цитата:

Сообщение от jopp

Я считаю, что теоретический расчёт должен определить ПОРЯДОК номиналов. А точное значение определяется экспериментально.
В любом случае, для любого транзистора, номинал будет лежать в пределах: сотни ОМ - единицы кОМ. Это я и пытался сказать. Без обид

Все верно, но это точное значение должно определяться правильно поставленным экспериментом - вот это пытался сказать я.
То, что правильно работает при 1,5 А совсем не обязательно будет правильно работать при 50 А и даже при 15 А.