Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Технология SOI против паразитных эффектов в драйверах затвора

Ответ
 
Опции темы Поиск в этой теме Оценить тему
Старый 28.05.2020, 14:55 #1
КОМПЭЛ
Новичок
 
Регистрация: 19.06.2017
Сообщений: 490
Репутация: 29
КОМПЭЛ Новичок
19 0
0 0
Post Технология SOI против паразитных эффектов в драйверах затвора

Микросхемы драйверов затвора силовых транзисторов, изготавливаемые по технологии монолитного кремния, подвержены негативному влиянию отрицательных напряжений, возникающих на опорном выводе для верхнего плеча. Технология «Кремний-на-изоляторе» (Silicon-on-insulator, SOI) является надежным решением этой проблемы, о чем свидетельствуют результаты испытаний трех микросхем драйверов затвора полумостовой схемы, в том числе – SOI-драйвера производства Infineon.
Читать статью >>

__________________
Надёжность в мире перемен!
КОМПЭЛ вне форума  
Оценка 0
Ответ
Опции темы Поиск в этой теме
Поиск в этой теме:

Расширенный поиск
Оценка этой теме
Оценка этой теме:
Метки
infineon , soi , драйвер затвора
Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход
Часовой пояс GMT +3, время: 11:40.
Powered by vBulletin® Version 3.8.8
Copyright ©2000 - 2020, Jelsoft Enterprises Ltd. Перевод: zCarot
Преимущества новых высоковольтных SOI-драйверов Infineon
Батарейки FANSO – стабильное напряжение в любом положении
Срезы портала ↓
Рейтинг@Mail.ru