потомушта R2 совместно с R3 образует ООС по постоянному току , при увеличении напряжения питания увеличивается падение напряжения на делителе R1R2 и одновременно на R3, при этом падение напряжения коллектор-эмиттер остается не низменным

Цитата:

Сообщение от Valeraussuriysk

Тогда почему-бы не выкинуть воришку R2, и при этом не уменьшить поставки тока увеличением R1 ?

Тогда резко ухудшится стабильность работы генератора. Ток коллектора = ток базы х h21 (коэффициент усиления ОЭ). h21 - очень нестабильный параметр. Он сильно зависит от температуры, от экземпляра транзистора, от тока коллектора. В вашей схеме напряжение на базе задаётся делителем R1-R2 и ни от чего не зависит. Напряжение на эмиттере равно напряжению на базе минус напряжение Э-Б. Ток коллектора равен отношению напряжения на эмиттере к величине R3. Как видите, мы ушли от зависимости тока коллектора от h21.

Цитата:

Сообщение от vishz

Тогда резко ухудшится стабильность работы генератора. Ток коллектора = ток базы х h21 (коэффициент усиления ОЭ). h21 - очень нестабильный параметр. Он сильно зависит от температуры, от экземпляра транзистора, от тока коллектора. В вашей схеме напряжение на базе задаётся делителем R1-R2 и ни от чего не зависит. Напряжение на эмиттере равно напряжению на базе минус напряжение Э-Б. Ток коллектора равен отношению напряжения на эмиттере к величине R3. Как видите, мы ушли от зависимости тока коллектора от h21.

Нифига не понял, нужно переварить,осмыслить))) Но на другом форуме мне сказали что-б от температуры не зависело.
Пошел переваривать ваш развернутый ответ...

уважаемый vishz, не могли бы вы мне еще объяснить:
мне сказали что Характеристическое сопротивление колебательного контура должно быть больше 100 Ом. Вопрос1: почему? Вопрос2:100 Ом - это нижняя черта,а на самом деле оно должно быть как можно больше?

Цитата:

Сообщение от vishz

Напряжение на эмиттере равно напряжению на базе минус напряжение Э-Б.

Напряжение Э-Б - почти постоянно,как падение на обычном диоде? верно ведь?

Я правильно понимаю?:
Питание у нас допустим 11.5в (регулируется аллахом и буддой вместе,так-что оно неизменно по божественным причинам). При номиналах R1(6к8) и R2(4к7) которые мы выбрали и впаяли в схему - напряжение на базе, согласно делителю, будет 4.7в.
Допустим что по велению джунглей (хотя подозреваю что по другим причинам) в моем экземпляре транзистора заложено падение Б-Э = 1.7в.
Соответственно в точке между R3 и Эмиттером будет разность в 1.7в, что подразумевает под собой: железобетонное напряжение на базе= 4.7в(т.к. за Vcc = 11.5 следят боги),а на эмиттере V=4.7-1.7=3в(за падением Б-Э следят джунгли)))
Следовательно: хоть об стенку бейся,но через R3 должен постоянно бежать ток минимум: I=U/R => I=3v/100r => I=0.03A = 30мА ? И не важно откуда берется этот ток...хоть от Б-Э,хоть от К-Э? 30мА -это минимальный ток через R3 при Vcc=11.5v.
Я правильно рассуждаю?

Цитата:

Сообщение от Valeraussuriysk

Соответственно в точке между R3 и Эмиттером будет разность в 1.7в

Имею ввиду - разность между базой и эмиттером. Неправильно мысль выразил в прошлый раз

Цитата:

Сообщение от DmitriyVDN

потомушта R2 совместно с R3 образует ООС по постоянному току , при увеличении напряжения питания увеличивается падение напряжения на делителе R1R2 и одновременно на R3, при этом падение напряжения коллектор-эмиттер остается не низменным

Вроде как начал вникать,но пипец...мне - как неандертальцу паровой двигатель объяснили (((

Эмиттерная стабилизация (рис.4)

Цитата:

Сообщение от DmitriyVDN

потомушта R2 совместно с R3 образует ООС по постоянному току , при увеличении напряжения питания увеличивается падение напряжения на делителе R1R2 и одновременно на R3, при этом падение напряжения коллектор-эмиттер остается не низменным

Не совсем так. Напряжение К-Э тоже возрастёт. Оно будет равно разности напряжения питания и напряжения на эмиттере. Пример с R1=6,8 ком и R2=4,7 ком. Uпит = 11,5 В. Uб=4,7 В, Uэ=4,7-0,7=4 В. Тогда Uк=11,5-4=7,5 В. Уменьшим Uпит в два раза. Получим Uб=4.7/2=2,35 В, Uэ=2.35-0,7=1,65 В, Uк=5.55-1.65=3,9 В.

Напряжение Э-Б обычно составляет 0,6 - 0,7 В, немного больше, чем на диоде из-за влияния коллектора. Сопротивление R3 может быть и больше - нет необходимости держать ток коллектора таким большим.
Не знаю, почему волновое сопротивление контура должно быть более 100 ом. Я не вижу в этом необходимости - ведь выходное сопротивление эмиттерного повторителя много ниже сопротивления R3.