|
Специалист
Регистрация: 24.11.2007
Сообщений: 2,523
Репутация: 260
 |
Цитата:
В настоящее время большая часть новостей и дискуссий в полупроводниковой отрасли посвящена устройствам на основе новых материалов с широкой запрещенной зоной, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). Приложения средней и высокой мощности, в которых использовались IGBT, по-прежнему существуют, как и сами транзисторы.
|
||
|
Оценка
|
|
Потеря емкости аккумулятора напрямую зависит от условий хранения и эксплуатации. При неправильном хранении даже самый лучший литиевый источник тока с превосходными характеристиками может не оправдать ожиданий. Технология, основанная на рекомендациях таких известных производителей литиевых источников тока, как компании FANSO и EVE Energy, поможет организовать правильный процесс хранения батареек и аккумуляторов.
 |
| Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |
Версия для печати
Отправить по электронной почте
