Посоветуйте пожалуйста насчет такой схемы:
Биполярный NPN транзистор (конкретно КТ848А)
планируется использовать при переменном напряжении
220 вольт (максимальное - еще умножить на корень из двух)
и в цепи коллектор-эмиттер и база-эмиттер,
рабочий ток коллектор-эмиттер будет большим,до 10 ампер,
то есть ток базы тоже приличный.
В документации указано напряжение эмиттер-база
не должно превышать 15 вольт.Как можно защитить
транзистор без применения сложных схем?
Можно ли при прямом напряжении (потенциал базы больше эмиттера)
подключить резистор к базе (и с каким сопротивлением),
а при обратном диод (противоположно напряжению)?
Должна ли емкость обратного перехода в диоде быть
в десятки раз меньше емкости перехода эмиттер-база
или сойдет любой?

А Вы считали мощность, которую транзистор будет рассеивать при токах в 10 ампер и выходном напряжении, например, 150 вольт ... ?

Ни разу не сталкивался с использованием биполярного транзистора в цепи переменного тока. Что новенькое...
Ключи переменного тока на полевых транзисторах использовал.

Встречали, встречали - не скромничайте ... .

Borodach
Транзистор включён после выпрямительного моста. И включен он уже по постоянному току!

Но регулирует переменный, вот незадача ... .

Цитата:

Сообщение от Borodach

А Вы считали мощность, которую транзистор будет рассеивать при токах в 10 ампер и выходном напряжении, например, 150 вольт ... ?

На самом транзисторе напряжение будет небольшое
в режиме насыщения,пару вольт.В документации заявлен
максимальный ток 15 ампер,мощность 35 ватт.

Цитата:

Сообщение от lllll

Borodach
Транзистор включён после выпрямительного моста. И включен он уже по постоянному току!

Цитата:

Сообщение от Borodach

Но регулирует переменный, вот незадача ... .

Для конкретной регуляции схемы конечно будут посложней,
главное может ли в принципе транзистор выдержать такой режим.Схема приведенная Borodach наводит на мысли о делителе напряжения - подключить базу между двух резисторов,только сопротивления R1 и R2 поменять,чтобы первое было раз в 30 больше второго (как соотносятся 15 и
220 * корень(2) = 310 вольт).Непонятно однако "сломается" ли переход база-эмиттер при высоком напряжении и нулевом токе (ограничение диодом)?

В строчной развертке, где стоят похожие (и такие) транзисторы между базой и эмиттером обычно стоит резистор в несколько десятков Ом. Есть транзисторы, в которых этот резистор находится внутри корпуса.

Поставил я натурные эксперименты по теме.
Мощный транзистор вообще живучая вещь,даже после сильного перегрева и пробоя восстановил свои параметры.Делить напряжение резисторами конечно желательно,между базой и эмиттером поменьше,между базой и источником побольше,но нарушение не смертельно.Схема работает в принципе как хотелось бы.Проблема одна и неразрешимая - жуткий перегрев транзистора.Даже привинченный для охлаждения солидный кусок металла кажется скоро расплавится.Хотя ток коллектора небольшой,примерно пол-ампера.Возможно из-за переменности напряжения,сопротивление коллектор-эмиттер не успевает быстро уменьшиться.Так это частота всего лишь 50 герц.Придется признать поражение.