Народ помогите, может и глупый вопрос, но я не могу в нем разобраться.
Собрал вот эту схему sig.jpg

все работает, правда я ее переделал до лазерной сигнализации.

А теперь помогите мне понять, как подбирается резистор для заземления базы? вот к примеру на этой схеме IMG_20150125_161514.jpg

Misha68
Транзистор, в вашей схеме, работает в ключевом режиме.
Подробный расчёт здесь
http://ikit.edu.sfu-kras.ru/files/8/7.1.pdf
стр 1-3.

так там про режим ключа написано, это я знаю), вот на 1-ой схеме какую я выложил я не понимаю как резистор расчитывается, чтобы при при соединении базы и нуля не было кз, и чтобы при размвакании этого шлейфа транзистор полностью открылся

Misha68
Если Вы установите резистор, расчитанный по рекомендациям в ссылке, то никакого КЗ на будет....

Цитата:

Сообщение от lllll

Misha68
Если Вы установите резистор, расчитанный по рекомендациям в ссылке, то никакого КЗ на будет....

Почему то мне кажется что расчётная схема и первая в первом посте схема , мягко говоря , не совпадают ...
Для первой схемы , как я понял из расчётов , достаточно знать ток необходимый реле , померить коэффициент передачи транзистора , разделить напряжение питания минус 0,7 - напряжение перехода на этот ток и получим номинал резистора от питания на базу ... тут ясно , но речь об сопротивлении шлейфа , то есть нужно выяснить безопасный номинал резистора от базы до эмиттера , включённый последовательно с низкоомным шлейфом ... взять как делитель и на нём буде входное ?

тут ясно , но речь об сопротивлении шлейфа , то есть нужно выяснить безопасный номинал резистора от базы до эмиттера
Ток, протекающий по цепи - коллектор/база/шлейф/эмитер определяется током перехода коллектор-база. Этот переход можно рассматривать, как диод включенный в обратном направлении. Переход закрыт и ток равен обратному току перехода (нано(микро)амперы). В данном случае его можно не учитывать.

Цитата:

Сообщение от lllll

тут ясно , но речь об сопротивлении шлейфа , то есть нужно выяснить безопасный номинал резистора от базы до эмиттера
Ток, протекающий по цепи - коллектор/база/шлейф/эмитер определяется током перехода коллектор-база. Этот переход можно рассматривать, как диод включенный в обратном направлении. Переход закрыт и ток равен обратному току перехода (нано(микро)амперы). В данном случае его можно не учитывать.

Не думаю что ток коллектор-база нас интересует впринципе ... речь скорее о том , что если закоротить базу - эмиттер при поданном питании , не выведет ли это из строя транзистор ...

никогда!!!!

Сопротивление в цепи базы (4,3) Ом практически ни на что не влияет. Не углубляясь в теорию расчётов, считаю, что сопротивление в цепи питания должно быть таким, чтобы создать ток базы 1/10 тока коллектора, т.е. 6,5 мА. Для данной схемы R=U/6,5 (ком). Затем надо проверить, не откроется ли транзистор от тока 6,5 мА. Для этого надо знать сопротивление датчика с проводами (Ом). Если Rд*6,5<250, то всё в порядке. Иначе придётся использовать транзистор с бОльшим Ку.

Цитата:

Сообщение от Misha68

Народ помогите, может и глупый вопрос, но я не могу в нем разобраться.
Собрал вот эту схему Вложение 18343

все работает, правда я ее переделал до лазерной сигнализации.

А теперь помогите мне понять, как подбирается резистор для заземления базы? вот к примеру на этой схеме Вложение 18344

Misha68 , если в качестве светодиода на схеме вы предполагаете поставить лазерный светодиод , то схема должна быть иной ... иначе ему вилы ...