Цитата:

Журнал РАДИОЛОЦМАН, март 2013 Korkut Yegin, Турция EDN Многим инженерам разработка малошумящего ВЧ усилителя со стабильным усилением кажется сложной, и даже пугающей задачей. Однако с развитием в последние годы технологии GaAs (арсенид галлиевых) полевых транзисторов с гетеропереходом (HFET) появилась возможность создания простых устойчивых усилителей с коэффициентом шума менее 1 дБ [1].

Подробнее: Конструирование сверхмалошумящего усилителя S диапазона

Заметка интересная, но приведённый Рис.3 не соответствует действительности (то же и в оригинале, в EDN). Описание создания двухкаскадного усилителя вообще отсутствует, так же как и результаты измерений шумов, параметров согласования на входе и на выходе.
Автору успешно удалось "угробить" исходный Кш=(0,3-0,4)дБ, снизив его до 0,77дБ. Сильный ход!
Скорее всего, разработка и параметризация начались и закончились в
MWO, без макетирования. А жаль...

Цитата:

Сообщение от LeoBLP

Автору успешно удалось "угробить" исходный Кш=(0,3-0,4)дБ, снизив его до 0,77дБ. Сильный ход!

По моему, не плохой результат. Это близко к реально возможного.
Такое под силу только профессионалам.

LeoBLP ТАП
Сарказм здесь не уместен... Забывать то, что шумы создаёт не только NE3509M04 не допустимо.
Остальные элементы, включая проводники платы вносят свою не малую лепту. Вот в результате и получается 077....