Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Обсуждение: Усовершенствованная схема управления усилением на основе полевого транзистора

Ответ
 
Опции темы Поиск в этой теме Оценить тему
Старый 08.12.2016, 22:00 #1
Robot Rlocman
Специалист
 
Аватар для Robot Rlocman
 
Регистрация: 24.11.2007
Сообщений: 2,115
Репутация: 225
Robot Rlocman Специалист Robot Rlocman Специалист Robot Rlocman Специалист
217 0
6 0
По умолчанию Обсуждение: Усовершенствованная схема управления усилением на основе полевого транзистора

Цитата:
Журнал РАДИОЛОЦМАН, апрель 2016 Ron Mancini EDN Одной из проблем, характерных для стандартных схем управления усилением на основе полевого транзистора, является увеличение уровня шумов, когда полевого транзистор используется как часть резистивного аттенюатора, включенного последовательно с операционным усилителем (ОУ). В такой конфигурации ослабление сигнала происходит до его усиления, а это влечет за собой необходимость выбора ОУ с большей полосой усиления и лучшими шумовыми характеристиками.
Подробнее: Усовершенствованная схема управления усилением на основе полевого транзистора

Последний раз редактировалось Admin; 13.12.2016 в 22:45.
Robot Rlocman вне форума  
Оценка 0
Старый 08.12.2016, 22:00 #2
Виктор Исаев
Новичок
 
Регистрация: 06.02.2012
Сообщений: 48
Репутация: 26
Виктор Исаев Новичок
16 40
0 1
По умолчанию

Транзисторы J271, J210 не МОП (англ. MOS) структуры, а J FET. Ошибка переводчика.
Виктор Исаев вне форума  
Оценка +1
Мало кто из инженеров-разработчиков знает про особенность электрохимической системы, которая проявляется у батареек большинства представленных на рынке брендов. Производители литиевых батареек знают об этой особенности, но не указывают её в даташите.
Старый 14.12.2016, 21:45 #3
Admin
Администратор
 
Аватар для Admin
 
Регистрация: 13.03.2006
Сообщений: 1,111
Записей в дневнике: 18
Репутация: 593
Admin отключил(а) отображение уровня репутации
545 412
0 40
По умолчанию

Спасибо за справедливое замечание.
Исправили.
Admin вне форума  
Оценка 0
При производстве драйверов силовых транзисторов компания Infineon использует различные технологии: JI, SOI, CT. Драйверы, выполненные с применением технологии SOI, имеют целый ряд преимуществ по сравнению с классическими JI-драйверами. В статье рассматриваются эти преимущества на примере новых семейств драйверов 650 В 2ED210x и 2ED218x.
Ответ
Опции темы Поиск в этой теме
Поиск в этой теме:

Расширенный поиск
Оценка этой теме
Оценка этой теме:
Похожие темы
Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход
Часовой пояс GMT +3, время: 13:40.
Powered by vBulletin® Version 3.8.8
Copyright ©2000 - 2020, Jelsoft Enterprises Ltd. Перевод: zCarot
Вебинар Разбор новых уникальных модулей FMAC и CORDIC в микроконтроллерах общего назначения STM32G4 15.07.2020
Батарейки FANSO – стабильное напряжение в любом положении
Срезы портала ↓
Рейтинг@Mail.ru