Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Обсуждение: Увеличение чувствительности фотоприемника на базе фототранзистора

Ответ
 
Опции темы Поиск в этой теме Оценить тему
Старый 12.08.2019, 12:48 #1
Robot Rlocman
Специалист
 
Аватар для Robot Rlocman
 
Регистрация: 24.11.2007
Сообщений: 2,057
Репутация: 217
Robot Rlocman СпециалистRobot Rlocman СпециалистRobot Rlocman Специалист
209 0
8 0
По умолчанию Обсуждение: Увеличение чувствительности фотоприемника на базе фототранзистора

Цитата:
Журнал РАДИОЛОЦМАН, май 2019 Левашов Олег Дмитриевич (идея) Басков Михаил Павлович (реализация и испытания) В статье предлагается способ существенного увеличения чувствительности сенсоров на базе двухвыводных фототранзисторов, принимающих слабый полезный сигнал в условиях низкой освещенности. Приводятся описание конструкции сенсора и результаты лабораторного и натурного экспериментов, подтверждающие высокую эффективность предложенного метода.
Подробнее: Увеличение чувствительности фотоприемника на базе фототранзистора
Robot Rlocman вне форума  
Оценка +1
Старый 12.08.2019, 12:48 #2
Евгений Пищелин
Новичок
 
Регистрация: 12.08.2019
Сообщений: 1
Репутация: 10
Евгений Пищелин Новичок
По умолчанию

В 80х годах для повышения чувствительности ПЗС матриц использовался метод "жирного нуля" - подсветка фоточувствительной поверхности красным или ИК светодиодом.
Евгений Пищелин вне форума  
Оценка 0
Производитель – Maxim Integrated Products – позиционирует серию интегральных DC/DC с предельно низким током покоя NanoPower как решение, позволяющее серьезно повысить КПД изделий с автономным электропитанием. Так ли это?
В статье описано практическое решение на базе представителя семейства MAX17225, экспериментальная установка для его испытания и результат этого испытания.
Старый 12.08.2019, 21:38 #3
Alexandr111
Новичок
 
Регистрация: 08.04.2010
Сообщений: 93
Репутация: 56
Alexandr111 Новичок
39 15
0 0
По умолчанию

Спасибо авторам за идею.
Вопрос к авторам статьи: каким образом происходит обнаружение препятствия в условиях "выключенной подсветке и практически полной темноте"?
Alexandr111 вне форума  
Оценка 0
Решения на галлий-нитриде (GaN) обладают фундаментальными преимуществами перед кремнием. В частности, имея более высокую критическую напряжённость электрического поля, в сравнении с традиционными кремниевыми транзисторами, транзисторы на основе галлий-нитрида обладают выдающимися динамическими характеристиками, что позволяет коммутировать их на высоких частотах.
А специально разработанные для них микросхемы драйверов семейства GaN EiceDriver™ помогут быстро и просто реализовать это на практике.
Старый 16.08.2019, 09:08 #4
Михаил_Басков
Новичок
 
Регистрация: 16.08.2019
Сообщений: 2
Репутация: 10
Михаил_Басков Новичок
По умолчанию

Извините за задержку с ответом на ваш вопрос. Действительно надо быть аккуратнее в тексте. Правильнее было бы написать: "При выключенной подсветке фотоприемника и низкой освещенности." Освещенность препятствия внешними источниками света была действительно очень низкой, что можно увидеть на видео эксперимента. Само видео при этом подверглось редактированию с целью увеличения яркости изображения, что нужно учитывать. Я с удовольствием отвечу на другие Ваши вопросы, если они возникнут.
Михаил_Басков вне форума  
Оценка 0
Старый 16.08.2019, 09:11 #5
Михаил_Басков
Новичок
 
Регистрация: 16.08.2019
Сообщений: 2
Репутация: 10
Михаил_Басков Новичок
По умолчанию

Вы правы! Именно идея с подсветкой ПЗС была отправной точкой для данного эксперимента.
Михаил_Басков вне форума  
Оценка 0
Ответ
Опции темы Поиск в этой теме
Поиск в этой теме:

Расширенный поиск
Оценка этой теме
Оценка этой теме:
Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход
Часовой пояс GMT +3, время: 19:29.
Powered by vBulletin® Version 3.8.8
Copyright ©2000 - 2019, Jelsoft Enterprises Ltd. Перевод: zCarot
Тестирование литиевых батареек FANSO при нормальных условиях. Часть 3
Новые GaN 600V транзисторы CoolGaN от Infineon
Срезы портала ↓
Закажи печатные платы, комплектующие получи бесплатно
Рейтинг@Mail.ru