Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Обсуждение: Тестирование и модернизация импульсного лабораторного источника питания. Часть 2

Ответ
 
Опции темы Поиск в этой теме Оценить тему
Старый 02.12.2019, 11:53 #1
Robot Rlocman
Специалист
 
Аватар для Robot Rlocman
 
Регистрация: 24.11.2007
Сообщений: 2,052
Репутация: 217
Robot Rlocman СпециалистRobot Rlocman СпециалистRobot Rlocman Специалист
209 0
8 0
По умолчанию Обсуждение: Тестирование и модернизация импульсного лабораторного источника питания. Часть 2

Цитата:
Журнал РАДИОЛОЦМАН, октябрь*2019 Михаил Гурович, США Часть 1 В первую очередь была проведена замена фильтрующих электролитических конденсаторов, стоящих перед дросселем, на более качественные и большей емкости. Исходно в ЛИП были установлены два электролитических конденсатора по 330*мкФ × 100*В каждый.
Подробнее: Тестирование и модернизация импульсного лабораторного источника питания. Часть*2
Robot Rlocman вне форума  
Оценка 0
Старый 02.12.2019, 11:53 #2
dedivan
Новичок
 
Регистрация: 21.11.2008
Сообщений: 12
Репутация: 14
dedivan Новичок
4 1
0 0
По умолчанию

Этот вопрос гораздо интереснее, нежели просто замена конденсаторов.
Помехи там не из за них. Вернее никакими конденсаторами их не устранить.
dedivan вне форума  
Оценка 0
Производитель – Maxim Integrated Products – позиционирует серию интегральных DC/DC с предельно низким током покоя NanoPower как решение, позволяющее серьезно повысить КПД изделий с автономным электропитанием. Так ли это?
В статье описано практическое решение на базе представителя семейства MAX17225, экспериментальная установка для его испытания и результат этого испытания.
Старый 04.12.2019, 19:39 #3
ben_ln
Новичок
 
Регистрация: 29.06.2011
Сообщений: 6
Репутация: 10
ben_ln Новичок
По умолчанию

Это китайский вариант компьютерного ИБП начала 2000-х годов. Замена электрлитов и добавление керамики это азы. А вот добавление хотя бы дополнительного дросселя или каскада стабилизации, вот это да. Кстати, эти изделия производятся уже лет так пятнадцать, у меня такой, ещё с трансорматором на входе. Пульсаций, естественно меньше. Совет, ищите более интересные схемы.
ben_ln вне форума  
Оценка 0
Решения на галлий-нитриде (GaN) обладают фундаментальными преимуществами перед кремнием. В частности, имея более высокую критическую напряжённость электрического поля, в сравнении с традиционными кремниевыми транзисторами, транзисторы на основе галлий-нитрида обладают выдающимися динамическими характеристиками, что позволяет коммутировать их на высоких частотах.
А специально разработанные для них микросхемы драйверов семейства GaN EiceDriver™ помогут быстро и просто реализовать это на практике.
Ответ
Опции темы Поиск в этой теме
Поиск в этой теме:

Расширенный поиск
Оценка этой теме
Оценка этой теме:
Похожие темы
Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход
Часовой пояс GMT +3, время: 14:09.
Powered by vBulletin® Version 3.8.8
Copyright ©2000 - 2019, Jelsoft Enterprises Ltd. Перевод: zCarot
Тестирование литиевых батареек FANSO при нормальных условиях. Часть 3
Новые GaN 600V транзисторы CoolGaN от Infineon
Срезы портала ↓
Закажи печатные платы, комплектующие получи бесплатно
Рейтинг@Mail.ru