Компании Intel и Micron совместно разработали первое NAND флеш-устройство на 128 Гб с многоуровневой структурой ячеек (MLC) с использованием технологического процесса 20 нм. IM Flash Technologies, совместное предприятие Intel и Micron, также начало выпуск NAND флеш-памяти на 64 Гб.
Восемь новых модулей хранения на 128 Гб могут поместиться в корпусе размером с кончик пальца (как показано на рисунке), и, как заявили представители обеих компаний, это устройство сможет хранить до терабайта данных. Также они добавили, что модули в подобном корпусном исполнении будут использоваться в планшетных ПК, смартфонах, твердотельных накопителях и других высокопроизводительных вычислительных устройствах.
Части NAND флеш-памяти на 128 Гб используют новую планарную структуру ячеек, чтобы обойти ограничения и сложности масштабирования стандартной ячейки NAND с плавающим затвором. Представленное устройство впервые в отрасли использует интегрированную технологию Hi-K Metal Gate Stack, которая позволяет намного лучше производить масштабирование ячейки, по сравнению со старыми архитектурами.
Новое устройство памяти может достигать скорости передачи данных в 333 мегатрансфера в секунду, и, таким образом, соответствовать спецификации ONFI 3.0. Представители Intel и Micron сообщили, что образцы новой NAND флеш-памяти будут доступны уже в январе, а выпуск серийной продукции начнется в первой половине 2012 года.
