Международная команда ученых продемонстрировала революционный способ магнитной записи, позволяющий обрабатывать информацию в сотни раз быстрее, чем в современных жестких дисках
Исследователи обнаружили, что информацию можно записывать путем только теплового воздействия, что ранее было невозможно себе представить. Они полагают, что это открытие сделает будущие магнитные накопители не только более быстрыми, но и более экономичными.
Вместо того чтобы записывать информацию на магнитный накопитель с помощью магнитного поля, ученые сделали это посредством нагрева. Такой революционный метод позволяет за секунду записывать террабайты информации, что в сотни раз быстрее скорости записи на современные жесткие диски. К тому же, метод позволяет намного снизить потребление энергии, существенная часть которой затрачивается на создание магнитного поля.
Международная команда ученых представлена исследователями из Испании, Швейцарии, Украины, России, Японии и Нидерландов. Экспериментальная часть работы была проведена в швейцарском институте Поля Шеррера, российском Физико-техническом институте имени Иоффе и голландском Университете Рэдбод города Неймеген.
Современная технология магнитной записи использует простой принцип, согласно которому северный полюс магнита притягивается к южному полюсу другого магнита, а два одноименных полюса отталкиваются. До сих пор считалось, что для записи одного бита информации, представленного ориентацией полюсов магнита, необходимо приложить внешнее магнитное поле. Причем, чем сильнее приложенное поле, тем быстрее будет происходить запись битов.
Однако ученые продемонстрировали, что положения северного и южного магнитных полюсов могут быть инвертированы ультракоротким тепловым импульсом, который задействует энергию намного более мощных внутренних сил магнитного накопителя.
На рисунке, представленном выше, показано повторяющееся детерминированное переключение «наноостровов». Изначально два «наноострова» имеют определенную противоположную магнитную ориентацию (показано черным и белым цветом, соответственно). После воздействия одиночного импульса направления магнитных полюсов обоих «наноостровов» изменяются. Дальнейшие импульсные воздействия повторяют процесс, каждый раз переключая магнитное состояние.
