Компания SanDisk объявила о появлении самого миниатюрного чипа NAND флеш-памяти на 128 Гбит (16 ГБ), созданного по 19 нм технологии, что позволило побить предыдущий рекорд фирмы Micron, которая в декабре прошлого года заявила о создании флеш-накопителя объемом 128 Гбит с использованием 20-нм технологии.
Для разработки новой микросхемы памяти к SanDisk присоединилась компания Toshiba. На ее кремниевом кристалле, занимающем площадь всего 170 мм2, может храниться до 128 миллиардов бит информации. Использовались многоуровневые NAND ячейки (multi-level cell – MLC) в комбинации со специальной технологий X3 компании SanDisk, позволяющая производить чтение или запись трех битов информации в каждой ячейке памяти.
Благодаря технологии X3 в сочетании с архитектурой All-Bit-Lane (ABL), разработанной SanDisk и позволяющей получать надежный доступ одновременно к двум шинам данных, скорость записи для новой флеш-памяти может достигать 18 Мб/с, что пока является наилучшим показателем в этой области.
Модуль памяти на 128 ГБ может состоять из восьми чипов емкостью 128 Гбит (16 ГБ), что сделает его компактным и высокоскоростным устройством с низким уровнем энергопотребления. Компания Micron уже начала массовое производство своих модулей флеш-памяти, сделанных по 20-нм технолгии, поэтому нарастающая конкуренция должна привести к снижению цен на новые флеш-накопители, которые будут использоваться в мобильных устройствах следующего поколения, таких как планшетные ПК, смартфоны и твердотельные накопители.
Была также анонсирована микросхема флеш-памяти, совместимая с форматом MicroSD емкостью 64 Гбит (8 ГБ), разработанная с использованием 19 нм технологии. Компания SanDisk уже начала поставки обоих вариантов представленных флеш-накопителей с нарастающим объемом производства, которое в ближайшее время станет массовым.
