Новые 40-В силовые MOSFET OptiMOS™-T2 компании Infineon обеспечивают лучшие в своем классе технические характеристики благодаря сочетанию инновационной технологии корпусирования и технологического процесса на основе тонких полупроводниковых пластин. Компания применяет диффузионную пайку кристаллов и не содержащие свинца корпуса TO-263, TO-220 и TO-262. В таком корпусном исполнении подготовлены к производству три прибора OptiMOS™-T2: IPB160N04S4-02D (160 А в корпусе TO-263), IPB100N04S4-02D (100А в корпусе TO-263) и IPP/I100N04S4-03D (100А в корпусах TO-220 и TO-262).
Новая серия MOSFET превосходит современные требования директивы RoHS, касающиеся использования свинца при корпусировании кристаллов. Ожидается, что директива ELV RoHS, которая будет введена в действие в 2014 году, потребует 100%-го отказа от использования свинца при корпусировании. Это первые в отрасли MOSFET, которые не содержат свинца и уже сегодня соответствуют будущим, более строгим нормативным требованиям.
Особенности
- 100%-ое улучшение тепловых характеристик
- 20%-ое снижение электрического сопротивления (RDS(on))
- Более высокое качество. Исключительная надежность продукции за счет отличного контакта и отсутствия растекания припоя; очень малый разброс характеристик приборов благодаря высокой повторяемости параметров компонентов.
Применение
- Автомобильные приводы высокой мощности, например электроусилители руля или вентиляторы системы охлаждения двигателя
