International Rectifier анонсировала первые приборы из новейшей серии HEXFET MOSFET транзисторов в корпусе TSOP-6, предназначенных для приложений с невысокими уровнями мощности, включая коммутаторы питания, зарядные и разрядные ключи для защиты батарей и ключи инверторов.
Приборы отличаются очень низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)), позволяющим сократить потери проводимости. Транзисторы выпускаются с каналами N- и P-типа, допустимым напряжением сток-исток 20 и 30 В, и максимальным напряжением затвора 12 или 20 В.
Транзисторы соответствуют всеми требованиям директив MSL1 и RoHS, не содержат свинца, соединений хлора и брома.
Технические характеристики
|
Прибор
|
VDS
проб. |
VGS
макс. |
ID макс.
@ 25ºC |
Тип./Макс. RDS(on)
@ VGS (мОм) |
|||
|
10 В
|
4.5 В
|
2.5 В
|
|||||
|
IRFTS9342
|
–30 В
|
20 В
|
5.9 А
|
31/39
|
53/66
|
—
|
|
|
IRLTS2242
|
–20 В
|
12 В
|
6.9 А
|
N/A
|
26/32
|
45/55
|
|
|
IRLTS6342
|
30 В
|
12 В
|
7.8 А
|
N/A
|
12/20
|
15/24
|
|
|
IRFTS8342
|
30 В
|
20 В
|
8.2 А
|
15/19
|
22/29
|
—
|
|
Доступность и цена
В партиях 1000 приборов цены начинаются от $0.119 за транзистор IRFTS9342TRPBF. Поставка со склада немедленно по получении заказа.
Купить IRFTS9342 на РадиоЛоцман.Цены
