Муфты электромонтажные от производителя Fucon
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новые мощные MOSFET транзисторы компании Vishay имеют самое низкое в отрасли сопротивление открытого канала

Vishay SiA436DJ

Сопротивление открытого канала MOSFET транзистора SiA436DJ нормируется при напряжении затвор-исток 1.2 В

Vishay Intertechnology представила новый 8-вольтовый n-канальный MOSFET транзистор семейства TrenchFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала в корпусе PowerPAK SC-70 со сниженным тепловым сопротивлением площадью 2 × 2 мм.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Vishay - SiA436DJ

Сверхнизкое сопротивление открытого канала транзисторов SiA436DJ нормируется при пяти значениях напряжения затвор-исток:

  • 9.4 мОм при 4.5 В,
  • 10.5 мОм при 2.5 В,
  • 12.5 мОм при 1.8 В,
  • 18 мОм при 1.5 В,
  • 36 мОм при 1.2 В.

SiA436DJ будет использоваться для коммутации нагрузки в портативных электронных устройствах, таких, как смартфоны и планшетные компьютеры. Ультра компактный корпус PowerPAK SC-70 занимает совсем немного места на печатной плате, а низкое сопротивление канала сокращает потери проводимости, снижает рассеиваемую мощность и повышает эффективность.

PowerPAK SC-70

Сопротивление открытого канала, нормированное для напряжения 1.2 В, упрощает создание схем, позволяя коммутировать низковольтные шины питания, типичные для современных портативных устройств, и увеличивает продолжительность использования аккумуляторов между циклами заряда. Кроме того, при малом сопротивлении канала уменьшается падение напряжения на транзисторе, снижая вероятность нежелательной блокировки микросхем управления питанием вследствие недонапряжения по входу.

Приборы SiA436DJ проходят 100% выходной контроль параметра RG, не содержат галогенов и удовлетворяют требованиям директивы RoHS.

В настоящее время доступны как образцы, так и промышленные партии приборов. При большом объеме заказа срок поставки составляет 12 недель.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Vishay Siliconix 8 V N-Channel TrenchFET Power MOSFET Offers Industry's Lowest On-Resistance Down to 9.4 mΩ at 4.5 V in the 2 mm by 2 mm Footprint Area

27 предложений от 12 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 8 В, 12 А, 0.0078 Ом, PowerPAK SC70, Surface Mount
SIA436DJ-T1-GE3
Vishay
12 ₽
AiPCBA
Весь мир
SIA436DJ-T1-GE3
Vishay
18 ₽
ЭИК
Россия
SIA436DJ-T1-GE3
Vishay
от 43 ₽
Acme Chip
Весь мир
SiA436DJ
Vishay
по запросу
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя