Компания Vishay Intertechnology представила новые n- и р-канальные силовые TrenchFET MOSFET с напряжением стока 8 и 20 вольт и самым низким в отрасли сопротивлением в открытом состоянии. Устройства выполнены в корпусах MICRO FOOT с размерами 1 × 1 × 0.55 мм и 1.6 × 1.6 × 0.6 мм.
Приборы предназначены для подключения батарей или нагрузки в системах управления питанием такой портативной электроники, как смартфоны и мобильные компьютеры. Компактные размеры и сверхтонкий профиль этих MOSFET позволят создавать еще более тонкие и легкие устройства, а их низкое сопротивление в открытом состоянии сокращает потери мощности и продляет время автономной работы до подзарядки. Низкое сопротивление в открытом состоянии также означает меньшее падение напряжения на ключах коммутации питания, что предотвращает нежелательную блокировку при разряде батарей.
Для приложений, где низкое сопротивление в открытом состоянии является более приоритетным, чем экономия пространства, n-канальный Si8424CDB с напряжением стока 8 В и р-канальный Si8425DB с напряжением 20 В обеспечивают максимальное сопротивление в открытом состоянии 20 мОм и 23 мОм, соответственно, при управляющем напряжении затвора 4.5 В. Устройства предлагаются в корпусах CSP с размерами 1.6 × 1.6 × 0.6 мм. Для устройств, где минимальная площадь на плате является более важным параметром, чем сопротивление, может использоваться 8-вольтовый n-канальный MOSFET типа Si8466EDB с максимальным сопротивлением в открытом состоянии 43 мОм при напряжении затвора 4.5 В. размер корпуса этого транзистора всего 1 × 1 × 0.55 мм. Si8466EDB устойчив к электростатическим разрядам с напряжением до 3000 В.
Значения сопротивлений в открытом состоянии, специфицированные для напряжений затвора от 1.2 В, позволяют использовать Si8466EDB и Si8424CDB с более низковольтными драйверами затворов и с меньшими напряжениями на шинах питания, распространенными в портативных устройствах, позволяя сократить объем и стоимость цепей смещения уровня. Все устройства соотвествуют требованиям директивы RoHS 2011/65/EU и не содержат галогенов в соответствии с определением JEDEC JS709A.
Технические характеристики устройств:
|
Прибор
|
||||
|
Полярность
|
N
|
N
|
P
|
|
|
VDS (В)
|
8
|
8
|
-20
|
|
|
RDS(ON) (мОм) макс. при
|
4.5 В
|
43
|
20
|
23
|
|
2.5 В
|
46
|
21
|
27
|
|
|
1.8 В
|
—
|
23
|
40
|
|
|
1.5 В
|
60
|
28
|
—
|
|
|
1.2 В
|
90
|
45
|
—
|
|
|
Размеры (мм × мм)
|
1 × 1
|
1.6 × 1.6
|
1.6 × 1.6
|
|
|
Высота (мм)
|
0.55
|
0.6
|
0.6
|
|
Отдельные образцы и партии новых мощных TrenchFET MOSFET доступны уже сегодня, при сроках поставки от 12 до 14 недель для крупных заказов.
Купить Si8424CDB на РадиоЛоцман.Цены
