Fujitsu объявила о завершении разработки 4-мегабитных приборов FRAM-памяти, совместимых с микросхемами SRAM

Fujitsu Semiconductor объявила о завершении разработки 4-мегабитных приборов FRAM-памяти MB85R4M2T с параллельным интерфейсом, совместимым с микросхемами SRAM. Образцы новой продукции в 44-выводных корпусах TSOP будут доступны в первом квартале 2014 г. По расположению выводов приборы полностью совместимы со стандартными маломощными микросхемами SRAM, что дает возможность заменить ими традиционные ОЗУ в промышленном оборудовании, офисной технике, медицинских приборах, охранных устройствах и других приложениях, в которых в настоящее время используются SRAM.

FRAM одновременно сочетает в себе свойства энергонезависимой памяти, способной сохранять информацию при выключенном источнике питания, и оперативной памяти с произвольным доступом, обеспечивающей возможность быстрой записи данных. Поскольку FRAM может безопасно сохранять данные даже при внезапных отказах источника питания и перебоях в подаче электроэнергии, с ее помощью можно обеспечивать сохранность информации, записанной непосредственно перед отключением питания.

MB85R4M2T – не первая SRAM-совместимая микросхема Fujitsu, дополняющая ее портфель FRAM памяти. Полное совпадение контактов 44-выводного корпуса TSOP со стандартными SRAM позволяет без существенного изменения конструкции печатной платы заменять обычные ОЗУ в устройствах промышленного управления, многофункциональных принтерах, медицинском оборудовании и системах безопасности зданий. Кроме того, не нуждаясь в источнике питания для хранения данных, микросхемы позволяют сделать приборы более компактными, экономичными и дешевыми.

Особенности

• Конфигурация: 262,144 слов × 16 бит
• Отдельное управление байтами слова: возможна конфигурация 524,288 слов × 8 бит
• Количество циклов чтения/записи: 10¹³ в 16-битном режиме
• Время хранения данных: 10 лет при температуре +85 °C
• Диапазон напряжений питания: 1.8 … 3.6 В
• Ток потребления:
  • не более 20 мА в активном режиме
  • не более 150 мкА в режиме хранения
  • не более 20 мкА в спящем режиме
• Диапазон рабочих температур: –40 °C … +85 °C
• Корпус: TSOP 44 вывода (FPT-44P-M34), соответствует требованиям директивы RoHS