TI представляет NexFET MOSFET с напряжением от 40 до 100 В для мощных источников питания и приложений управления двигателями

Новые средневольтные мощные MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением канала и напряжением 80 и 100 В в корпусе TO-220

Расширяя портфолио популярных транзисторов NexFET, Texas Instruments представила 14 мощных MOSFET в корпусах TO-220 и SON с максимальным напряжением от 40 В до 100 В. Высокоэффективные NexFET включают 40-, 60-, 80- и 100-вольтовые N-канальные приборы с отличными температурными характеристиками, оптимизированными для широкого круга сильноточных приложений, в том числе, для драйверов двигателей и источников питания.

Минимальное сопротивление открытого канала

Два новых 80- и 100-вольтовых NexFET имеют самое низкое в отрасли сопротивление открытого канала среди приборов в корпусе TO-220. При этом разработчикам удалось сохранить прежнюю величину заряда затвора, что дает возможность разработчикам увеличить эффективность преобразования энергии в сильноточных устройствах. Транзистор CSD19506 имеет сопротивление канала 2.0 мОм при напряжении 80 В, в то время как сопротивление CSD19536 при 100 В равно 2.3 мОм. Оба прибора выпускаются в пластмассовых корпусах и обладают высокой устойчивостью к лавинному пробою при работе в тяжелых условиях приложений управления электродвигателями. Выбрать подходящий транзистор и смоделировать его поведение в конкретном силовом устройстве разработчики могут с помощью отмеченного наградами онлайн средства проектирования WEBENCH.

Texas Instruments также представляет несколько оценочных модулей, основанных на 60-вольтовых NexFET:

• Предварительный драйвер шагового двигателя:
  Основанный на контроллере DRV8711 оценочный модуль DRV8711EVM в комплекте с NexFET для управления сильноточным биполярным шаговым двигателем или двумя щеточными двигателями постоянного тока.
   
• Драйвер двигателей BoosterPack:
  Набор BOOSTXL-DRV8301 – это основанный на предварительном драйвере DRV8301 10-амперный драйвер, разработанный для изучения методов управления 3-фазными бессенсорными бесщеточными двигателями.
   
• Цифровой преобразователь мощности:
  UCD3138PSFBEVM-027 позволяет разработчикам проектировать автономные 360-ваттные преобразователи энергии с выходным напряжением 12 В и цифровым управлением.
   
• Набор для исследования архитектур с распределенным питанием:
  Оценочная плата TPS40170EVM-597, основанная на контроллере синхронного понижающего преобразователя TPS40170 с двумя NexFET.

Доступность и цены

N-канальные транзисторы CSD19506KCS и CSD19536KCS доступны для заказа в промышленных объемах через всемирную сеть авторизованных дистрибьюторов TI. Оба прибора выпускаются в стандартном корпусе TO-220 с тремя выводами и продаются по цене $2.30 за штуку в партиях из 1000 транзисторов. Предлагаются также 40-, 60-, 80- и 100-вольтовые транзисторы в бессвинцовом корпусе SON размером 5 × 6 мм.