Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА
РадиоЛоцман - Все об электронике

Силовой модуль IRFHE4250D FastIRFET компании International Rectifier повысит КПД DC/DC преобразователей

International Rectifier IRFHE4250D

Компания International Rectifier объявила о расширении семейства силовых модулей, представив мощный сдвоенный MOSFET IRFHE4250D FastIRFET с уменьшенными более чем на 5% потерями мощности при нагрузке 25 А, по сравнению с лучшими в своем классе силовыми модулями. Максимальное рабочее напряжение микросхемы составляет 25 В, но, в первую очередь, она нацелена на использовании в понижающих преобразователях постоянного тока с входным напряжением 12 В для телекоммуникационного и сетевого оборудования, серверов, графических адаптеров, настольных компьютеров, ультрабуков и ноутбуков.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

International Rectifier - IRFHE4250D

Особенностями IRFHE4250D являются изготавливаемые IR кремниевые пластины последнего поколения, низкопрофильный корпус PQFN 6×6 мм с теплоотводящей площадкой на верхней стороне, удобный для монтажа на обратной стороне платы, прекрасные тепловые характеристики, низкое сопротивление открытого канала и малый заряд затвора. Эти преимущества позволяют получить лучшую плотность мощности и более низкие потери переключения при одновременном снижении размеров печатной платы и повышении общего КПД системы.

Как и все силовые модули компании IR, IRFHE4250D совместим с любым контроллером или драйвером, что обеспечивает гибкость при конструировании, и, несмотря на небольшие размеры корпуса, позволяет создавать еще более сильноточные, эффективные и высокочастотные устройства. Новый прибор расширяет ассортимент силовых модулей IR, выпускаемых в корпусах PQFN с размерами 6 × 6 мм.

IRFHE4250D, рассчитанный на эксплуатацию в промышленном диапазоне температур, а по степени влагоустойчивости соответствующий уровню MSL2, выпускается в корпусе PQFN 6 × 6 мм с теплоотводящей площадкой на верхней стороне, удовлетворяющем предписаниям директивы RoHS.

Технические характеристики

Название
микросхемы
Корпус
Ток
нагрузки
(А)
Ср./Макс Rоткр. кан.
при 4.5
В
(мОм
)
Qз
при 4.5 В
(нК)
Qзи
при 4.5 В
(нК)
IRFHE4250D
PQFN
6×6 мм
60
3.2 / 4.1
1.35 / 1.0
13
35
5 × 13

Доступность и цена

Цены IRFHE4250D начинаются от $1.44 за экземпляр при заказе партии от 1 тыс. шт. Приборы отгружаются со склада сразу по подтверждении заказа. Цены могут изменяться.

Перевод: wisdombird по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: IR's IRFHE4250D FastIRFET 6x6 PQFN Power Block Featuring Exposed Top Delivers Superior Efficiency for DC-DC Applications

Элитан
Россия
IRFHE4250D
Infineon
387 ₽
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя
Фрагменты обсуждения:Полный вариант обсуждения »
  • А зачем в русском переводе модифицирован 4-й столбец таблицы, причём с ошибкой. RDS(on) Max 4.5V (mOhms), сопротивление у транзистора всё-таки в мОм !