РадиоЛоцман - Все об электронике

Vishay Intertechnology анонсирует первые 500-вольтовые MOSFET, основанные на технологии Super Junction

Vishay SiHG25N50E SiHP25N50E SiHA25N50E

Vishay Intertechnology объявила о выпуске первых транзисторов из нового семейства 500-вольтовых MOSFET, имеющих такие же низкие потери проводимости и переключения, как и выпускаемые компанией 600- и 650-вольтовые приборы серии «Е». Низкое сопротивление открытого канала и малый заряд затвора новых транзисторов будут иметь большое значение для экономии энергии в мощных высококачественных потребительских устройствах, осветительных приборах и в импульсных источниках питания компьютеров.

Vishay Intertechnology - SiHx25N50E

Основанные на втором поколении технологии Vishay Super Junction, новые 500-вольтовые MOSFET SiHx25N50E дополняют существующую 500-вольтовую серию «D», изготавливаемую по высококачественной планарной технологии. Сопротивление открытого канала транзисторов нового семейства равно145 мОм, а максимальный ток стока – 25 А. Доступны различные варианты корпусов, включая TO-220 и ТО-247АС, а также оптимизированные для низкопрофильных продуктов тонкие корпуса TO-220 FULLPAK.

Новые приборы отличаются сверхнизким зарядом затвора, равным 57 нКл, и малым временем включения – ключевыми показателями качества MOSFET, используемых в силовых преобразователях. Так же как в 600- и 650-вольтовых транзисторах серии «E», низкое сопротивление открытого канала и оптимизированная скорость переключения 500-вольтовых устройств могут увеличить КПД и плотность мощности в корректорах коэффициента мощности, прямоходовых мостовых конвертерах и обратноходовых преобразователях.

Компоненты соответствуют требованиям директивы RoHS, имеют повышенную устойчивость к высокоэнергетическим импульсам в режимах переключения и лавинного пробоя и проходят стопроцентную проверку на отсутствие защелкивания при коммутации индуктивной нагрузки.

Технические характеристики транзисторов:

Прибор
ID
при 25 °C
RDS(ON)
макс.
при UGS = 10 В
QG
тип.
при UGS = 10 В
Корпус
25 А
145 мОм
57 нКл
TO-247AC
25 А
145 мОм
57 нКл
TO-220
25 А
145 мОм
57 нКл
 TO-220 FULLPAK

Перевод: wisdombird по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Vishay Intertechnology Announces its First 500 V High-Voltage MOSFETs Built on E Series Super Junction Technology

Изготовление плат и монтаж компонентов для вашего проекта от $2. Получи купон на скидку: JLCNY

11 предложений от 5 поставщиков
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC
ЭИК
Россия
SIHG25N50E-GE3
Vishay
от 132 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SIHG25N50E-GE3
Vishay
166 ₽
Элитан
Россия
SIHG25N50E-GE3
Vishay
253 ₽
SIHG25N50E-GE3
Vishay
по запросу
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя