Vishay Intertechnology выпустила низкопрофильные PIN-фотодиоды с большой фоточувствительной областью

Соответствующие стандарту AEC-Q101 устройства в корпусах для поверхностного монтажа с обратным фототоком 48 мкА и темновым током 2 нА

Vishay Intertechnology пополнила свой портфель оптоэлектронных приборов двумя новыми быстродействующими кремниевыми PIN-фотодиодами в корпусах для поверхностного монтажа размером 5 × 4 × 0.9 мм. Расположенная на верхней поверхности приборов VEMD5010X01 и VEMD5110X01 большая фоточувствительная область площадью 7.5 мм² обеспечивает высокую интегральную чувствительность с уровнем обратного фототока 48 мкА при очень малом темновом токе 2 нА. Приборы предназначены для автомобильных, промышленных и медицинских приложений.

Устройства, соответствующие спецификациям автомобильного стандарта AEC-Q101, изготавливаются на основе разработанной Vishay технологии FAM. Выводная рамка фотодиодов, проволочные выводы кристалла и контактные площадки залиты черным эпоксидным компаундом, в то время как сама полость с фоточувствительным элементом заполнена светопроводящим составом. Такая конструкция позволяет сократить общие габариты корпуса и уменьшить его высоту, сохранив большую площадь оптического окна. Кроме того, это снижает термическое напряжение термокомпрессионных соединений, повышая прочность и надежность устройства.

Фотодиоды оптимизированы для детектирования света в таких приложениях, как датчики дождя и света, детекторы дыма, носимая электроника, передача данных и дорожные пункты оплаты. Для детектирования видимого света и ближней части инфракрасного спектра предназначены приборы, VEMD5010X01, у которых полость вокруг чувствительного элемента залита прозрачным материалом на основе эпоксидной смолы. Эти фотодиоды имеют широкий диапазон чувствительности от 430 нм до 1100 нм. Оптическое окно VEMD5110X01 снабжено светофильтром, ограничивающим диапазон чувствительности интервалом 790…1050 нм, согласованным с длинами волн инфракрасных излучателей.

VEMD5010X01 и VEMD5110X01 имеют следующие основные характеристики:

• малое время отклика (типовое время нарастания и спада – 100 нс),
• ширина диаграммы направленности по уровню половинной мощности ±65°,
• диапазон рабочих температур от –40 °C до +110 °C,
• максимум спектральной чувствительности – 940 нм.

Фотодиоды соответствуют требованиям директивы RoHS, не содержат галогенов, и по устойчивости к повышенной влажности соответствуют уровню 4 стандарта J-STD-020.