Diodes Incorporated расширила свою линейку ультраминиатюрных дискретных продуктов, анонсировав трио малосигнальных MOSFET в крошечных корпусах DFN0606: 20- и 30-вольтовые транзисторы с n-каналом и p-канальный прибор с допустимым напряжением 30 вольт. При размерах всего 0.6 × 0.6 мм каждое устройство занимает на плате на 40% меньше места, чем обычно используемые MOSFET в корпусах DFN1006 (обозначаемых также SOT883), что делает их идеальным выбором для следующего поколения носимых устройств, планшетов и смартфонов.
Новые MOSFET имеют лучшие, или эквивалентные характеристики, чем многие компоненты большего размера. При разработке транзисторов DMN2990UFZ (20 В, n-МОП), DMN31D5UFZ (30 В, n-МОП) и DMP32D9UFZ (30 В, p-МОП) акцент делался на снижение сопротивления открытого канала и улучшение динамических параметров. При типовом пороге переключения менее 1 В транзисторы могут использоваться в устройствах, питаемых от одноэлементных батарей.
Эти крошечные транзисторы могут с успехом использоваться как для высокоэффективного управления питанием, так и в качестве универсальных компонентов в схемах сопряжения и простых аналоговых ключах. Компоненты в корпусах DFN0606 позволят также повысить плотность мощности, так как, несмотря на свою миниатюрность, могут рассеивать мощность 300 мВт.
Купить DMN2990UFZ на РадиоЛоцман.Цены
