Приборы, оптимизированные для снижения потерь переключения, проводимости и управления, позволяют повысить уровень эффективности систем
Компания On Semiconductor продолжает расширять портфель мощных MOSFET новыми высокоэффективными N-канальными приборами, предназначенными для сетевых, телекоммуникационных и промышленных приложений.
Устройства отличаются крайне низкими сопротивлениями открытого канала, снижающими потери проводимости и повышающими общий уровень эффективности системы. Кроме того, транзисторы имеют очень низкую емкость затвора, вплоть до 2164 пФ у отдельных приборов, что сокращает потери энергии в драйверах затворов.
Сопротивления открытого канала новых 40-вольтовых MOSFET NTMFS5C404NLT, NTMFS5C410NLT и NTMFS5C442NLT при напряжении затвора 10 В не превышают 0.74 мОм, 0.9 мОм и 2.8 мОм, соответственно. Соответствующие допустимые длительные токи стока равны 352 А, 315 А и 127 А. Эти транзисторы дополнены приборами NTMFS5C604NL, NTMFS5C612NL и NTMFS5C646NL с пробивным напряжением 60 В.
Максимальные сопротивления открытого канала этих устройств составляют, соответственно, 1.2 мОм, 1.5 мОм и 4.7 мОм, а соответствующие допустимые длительные токи стока – 287 А, 235 А и 93 А. Как 40-, так и 60-вольтовые устройства могут работать при температуре перехода до 175 °C, позволяя проектировать устройства с увеличенным тепловым запасом. ON Semiconductor планирует дополнить линейку приборами с другими сопротивлениями каналов и в других корпусах (micro8FL, DPAK и TO220).
Корпуса и Цены
NTMFS5C404NL, NTMFS5C410NL, NTMFS5C442NL NTMFS5C604NL, NTMFS5C612NL и NTMFS5C646NL предлагаются в удовлетворяющих требованиям директивы RoHS компактных корпусах SO8FL (DFN-8). Цены начинаются от $0.42 за штуку при объеме заказа 10,000 приборов.
