Инновационная трехмерная многоуровневая структура увеличивает объем и повышает технические характеристики микросхем флэш-памяти
Toshiba America представила новое поколение флэш-памяти BiCS FLASH с трехмерной многоуровневой структурой запоминающих ячеек. Новая микросхема является первым в мире 48-слойным 256-гигабитным флэш-устройством. Кроме того, оно основано на самой совершенной в отрасли технологии TLC (Triple-Level Cell – трехуровневая ячейка). Поставка образцов начнется в ближайшее время.
BiCS FLASH основана на новейшем процессе производства 48-слойных структур, позволяющем создавать память бóльших объемов, с бóльшим количеством циклов записи чтения и бóльшей скоростью записи, чем традиционная двумерная флэш-память NAND. Новый прибор объемом 256 Гбит (32 Гбайт) найдет применение во множестве различных приложений, включая потребительские твердотельные накопители, смартфоны, планшеты, карты памяти и твердотельные накопители для центров обработки данных.
Со времени анонса технологии в июне 2007 Toshiba продолжала разработки с целью ее оптимизации для возможности использования в массовом производстве ИС. Принимая во внимание ожидаемый рост рынка флэш-памяти в 2016 и последующих годах, Toshiba планомерно переходит на BiCS FLASH, расширяя ассортимент новой продукции, предназначенной для приложений большого объема, таких, например, как твердотельные накопители.
Toshiba имеет богатый опыт создания компонентов памяти и в настоящее готовит к массовому производству BiCS FLASH новую фабрику Fab2 в Йоккаити – основную площадку по выпуску флэш-памяти NAND. Строительство Fab2 будет завершено в первой половине 2016 г.
