International Rectifier предлагает для работы на масимально высоких частотах оптимизированные МОП-полевые транзисторы DirectFET^TM, обеспечивающие при работе с большими токами высокую производительность DC-DC преобразователей

Новая тройка 20-вольтовых устройств отвечает на запросы следующего поколения процессорной техники с точки зрения VRM10-совметимости и силовых характеристик

24 февраля, 2004г. - International Rectifier дополняет свое семейство МОП-полевых транзисторов DirectFET^TM тремя новыми изделиями. Новые 20-вольтовые n-канальные устройства оптимизированы для работы на высоких частотах в составе каскадов питания VRM 10, сильноточных DC-DC преобразователей, предназначенных для следующего поколения процессоров Intel® и AMD в настольных компьютерах и серверах высокого технического уровня, а также для новейшего телекоммуникационного оборудования и систем передачи данных.

Транзистор IRF6623 предоставляет улучшенные характеристики по управлению, со сокращением на 30% произведения величины сопротивления устройства в открытом состоянии и заряда затвора, что является на 50% меньшим значением по сравнению с другими высокопроизводительными 20-вольтовыми MOSFET, присутствующими на рынке. В дополнение к этому, произведение RDS(on) и Qg при 4.5 В составляет 48.4 мОм-нКл, а величина зараяда Миллера - 4.0 нКл, что обеспечивает снижение потерь на переключение.

Транзистор IRF6620 идеален для работы MOSFET в синхронных приложениях (до 35A), сочетая очень малые значения Qg, Qgd и QRR с улучшением на 30% показателя RDS(on) по сравнению с прочими аналогичными изделиями, имеющимися на рынке. Типовая величина RDS(on) для данного устройства составляет 2.1 мОм (2.7 мОм max.) при 10 В.

Транзистор IRF6609 разработан для применения в синхронных MOSFET приложениях, требующих наивысшей производительности при коммутации значительных токов (33 A или более), объединяя очень малые заряд затвора (Qg), заряд Миллера (Qgd) и сверхмалый заряд обратного восстановления (QRR) с типовым сопротивлением открытого состояния (RDS(on)) = 1.6 мОм (2.0 мОм max.) при 10 В.

Номер изделия	Исполнение	BVDSS(В)	RDS(on) тип. при 10 В (мОм)	RDS(on) max. при 10 В (мОм)	RDS(on) тип. при 4.5 В (мОм)	RDS(on) max. при 4.5 В (мОм)	VGS(В)	ID при Tc=25C (A)	QG тип. (нКл)	QGD тип. (нКл)
IRF6623	DirectFET	20	4.4	5.7	7.5	9.7	20	55	11.0	4.0
IRF6620	DirectFET	20	2.1	2.7	2.8	3.6	20	150	28.0	8.8
IRF6609	DirectFET	20	1.6	2.0	2.0	2.6	20	150	46	15

Доступность приобретения и цена

В настоящее время новые MOSFET-изделия DirectFET доступны к приобретению. Стоимость IRF6620 составляет US$0.98 за 1 шт., IRF6623 - US$0.78 за 1 шт. и IRF6609 - US$1.25 за 1 шт. при количествах 10.000 шт.