В новом поколении BiCS FLASH компании Toshiba стало больше слоев и увеличился объем памяти
Корпорация Toshiba представила последнее поколение своей трехмерной (3D) флэш-памяти BiCS FLASH со стековой структурой ячеек, объявив о начале поставок образцов первого в мире 64-слойного устройства. Объем памяти нового устройства, одна запоминающая ячейка которого хранит три бита информации (трехуровневая ячейка – triple-level cell, TLC), достиг 256-гигабит (32 гигабайт), подчеркивая потенциал архитектуры, разработанной и запатентованной Toshiba. Компания продолжает совершенствовать BiCS Flash, и очередной вехой на пути развития этой технологии станет 512-гигабитное (64-гигабайтное) устройство, также состоящее из 64 слоев.
Усовершенствованный процесс изготовления новой 64-слойной структуры, ставшей преемником 48-слойных BiCS Flash, по сравнению со старой технологией позволяет на 40% увеличить объем на единицу площади кристалла, снизить стоимость бита и увеличить суммарную емкость памяти, получаемой с каждой кремниевой пластины. Отвечая самым строгим требованиям к характеристикам запоминающих устройств, 64-слойная BiCS Flash микросхема сможет использоваться в приложениях, включающих корпоративные и потребительские твердотельные накопители, смартфоны, планшеты и карты памяти.
Со времени представления в июне 2007 года первого в мире прототипа флэш-памяти, изготовленной по технологии 3D, Toshiba продолжает ее развитие. Компания активно продвигает BiCS Flash для удовлетворения спроса на бóльшие объемы при меньших размерах.
Массовое производство новых 64-слойных BiCS Flash Toshiba планирует начать в первой половине 2017 года на фабрике New Fab 2 в Йоккаити, официально открытой в июле 2016 года.
