International Rectifier представляет IRF1312 HEXFET® мощный 80В MOSFET транзистор, который может использоваться в качестве первичных или вторичных MOSFET транзисторов в изолированных DC-DC преобразователях для коммуникационных систем.
В качестве первичного транзистора IRF1312 может использоваться при входном напряжении до 60В, что делает его идеальным для применения в мостовых и полумостовых конфигурациях для 36-60В и 48В изолированных DC-DC конвертеров.
При использовании в качестве вторичного MOSFET транзистора, IRF1312 обеспечивает 0,4% увеличение эффективности по сравнению со стандартными MOSFET транзисторами для 12В приложений. Новые транзисторы могут использоваться в схемах с 15В максимальным выходным напряжением.
Новые MOSFET транзисторы характеризуются низким зарядом затвора для снижения импульсных потерь и низким сопротивлением в открытом состоянии для минимизации токовых потерь. IRF1312 выпускается в TO-220AB, D2Pak и TO-262 корпусах.
| Маркировка | Корпус | VDSS(В) | RDSon max @ 10Vgs(mW) |
Qg typ(nC) | Qgd typ(nC) |
| IRF1312 | TO-220AB | 80 | 10 | 93 | 34 |
| IRF1312S | D2Pak | 80 | 10 | 93 | 34 |
| IRF1312L | TO-262 | 80 | 10 | 93 | 34 |
Цены и условия поставки
Новые IRF1312, IRF1312S and IRF1312L уже доступны по цене 1,06$ в партиях от 10000 шт.
Купить IRF1312 на РадиоЛоцман.Цены
