Новый IGBT-транзистор на 1000 В фирмы Fairchild Semiconductor, выполненный по технологии NPT-Trench, обеспечивает лучшую в своем классе устойчивость к лавинному пробою в системах индукционного нагрева

29 апреля, 2004г. - фирма Fairchild Semiconductor представляет новый IGBT-транзистор (1000 В / 60 А), обладающий превосходными переключательными характеристиками и параметрами проводимости, а также устойчивостью к лавинному пробою при работе в системах индукционного нагрева (IH - induction heating), включая IH-подогреватели, плиты и микроволновые печи. Объединяя trench-технологию (trench - траншея, канавка), запатентованную фирмой Fairchild, и технологию NPT (non-punch through - отсутствие локальных пробоев), новое устройство FGL60N100BNTD приобрело исключительную в своем классе устойчивость к лавинным пробоям. "Иммунитет" IGBT-транзистора к лавинным процессам защищает его от эксплуатационных выходов из строя, вызываемых лавинным пробоем в закрытом состоянии, и, таким образом, увеличивает надежность IH-устройств. Изделие FGL60N100BNTD характеризуется скоростью переключения, оптимизированной для IH-приложений, (t_f = 130 нс, тип.) и низкими потерями проводимости вследствие малого значения напряжения насыщения (V_CE(нас.) = 2.5 В при I_C = 60 A). Встроенный в FGL60N100BNTD быстродействующий диод упрощает разработку схем и снижает число компонентов.

Корпус FGL60N100BNTD выполнен в варианте TO-264. Изделие не содержит свинец (Pb-free) и соответствует условиям объединенного стандарта IPC/JEDEC J-STD-020B или превосходит их, а также требованиям ЕЭС, вступающим в действие в 2005 г.

Производство данного IGBT-транзистора на 1000 В расширяет ассортимент изделий, предлагаемых фирмой Fairchild для приборов индукционного нагрева, включающий в свой состав кроме IGBT-устройств также диоды, симисторы, оптопары и светодиоды.

Цена: US$ 4.08 (от 1 тыс.шт.)
Доступность приобретения: имеются в наличии
Поставка: 12 недель