РадиоЛоцман - Все об электронике

International Rectifier представляет экономичные, мощные, 150КГц IGBT транзисторы для высокочастотных импульсных блоков питания

International Rectifier IRGP50B60PD1 IRGP35B60PD IRGP20B60PD IRGB20B60PD1

International Rectifier представила новые WARP2TM 600В 50А, 35А и 25А NPT IGBT транзисторы с улучшенной характеристикой переключения для мощных, высокочастотных импульсных блоков питания (SMPS) в телекоммуникационных и серверных системах. Новые WARP2 NPT IGBT транзисторы обладают лучшим соотношением цена-производительность по сравнению с мощными MOSFET транзисторами. WARP2 IGBT транзисторы имеют встроенные HEXFRED® диоды, которые обеспечивают более лучшие характеристики по сравнению с интегрированными диодами в мощных MOSFET транзисторах. Новые устройства выпускаются в TO-247 и TO-220 корпусах.

WARP2 IRGP50B60PD1, IRGP35B60PD, IRGP20B60PD, IRGB20B60PD1

Новые WARP2 IGBT транзисторы производятся по тонко-пластиночной технологии от International Rectifier, которая гарантирует более короткое время истощения несущей и, следовательно, более быстрое выключение. Кроме этого, незначительный остаточный ток выключения и низкие импульсные потери, или EOFF, позволяют разработчикам достичь более высоких рабочих частот.

Улучшения импульсной характеристики в купе с положительной характеристикой термального коэффициента позволяет достичь более высокой плотности тока. WARP2 IGBT транзисторы демонстрируют превосходное распределение тока, как и мощные MOSFET транзисторы при параллельном соединении. В отличие от MOSFET транзисторов, проводящие потери IGBT транзисторов остаются низкими.

Новые WARP2 NPT IGBT транзисторы могут выдерживать ток до 50А в TO-247 корпусе, что на 85% больше по сравнению с 600В MOSFET транзисторами в таком же корпусе, а также до 20А в TO-220 корпусе, что на 18% превышает способности 600В MOSFET транзисторов в таком же корпусе.

Маркировка Корпус Uкэ Iк при 25C Uкэ(вкл.) Встроен. диод Qg
IRGP50B60PD1 TO-247 600 50A 2.0В @33A 15A 205nC
IRGP35B60PD TO-247 600 35A 1.85В @22A 15A 160nC
IRGP20B60PD TO-247 600 20A 2.05В @13A 8A 68nC
IRGB20B60PD1 TO-220 600 20A 2.05В @13A 4A 68nC

Цены и условия поставки

Новые высокочастотные NPT IGBT транзисторы уже доступны по цене, начиная с IRGB20B60PD1, 1,03$ за шт. в партиях от 10 000 шт.

На английском языке: International Rectifier Introduces Economical, High Power, 150kHz IGBTs for High Frequency SMPS Applications

JLCPCP: 2USD 2Layer 5PCBs, 5USD 4Layer 5PCBs

IRGP50B60PD1 Купить ЦенаКупить IRGP50B60PD1 на РадиоЛоцман.Цены — от 10,93 до 584
49 предложений от 23 поставщиков
IGBT 600V 75A TO-247AC Transistor Type IGBT Transistor Polarity N Channel Voltage Vces 600V Current Ic Continuous a Max 75A Voltage Vce Sat Max 2.35V Power...
Триема
Россия
IRGP50B60PD1PBF
11 ₽
Стандарт СИЗ
Россия
IRGP50B60PD1PBF,IGBT N-кан 600В 45А TO-247AC
Infineon
105 ₽
PL-1
Россия
IRGP50B60PD1
от 292 ₽
LifeElectronics
Россия
IRGP50B60PD1PBF
International Rectifier
по запросу
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя