Central Semiconductor расширяет диапазон напряжений своих MOSFET до 800 В

Central Semiconductor представила свой новейший энергоэффективный высоковольтный MOSFET семейства UltraMOS, разработанный для минимизации потерь проводимости и увеличения плотности мощности. 800-вольтовый MOSFET CDM2206-800LR в корпусе TO-220 рассчитан на максимальный ток 6 А. Ключом к высокой энергоэффективности этого устройства являются низкие значения сопротивления открытого канала (0.8 Ом) и общего заряда затвора (24.3 нК). По этим характеристикам новый транзистор превосходит любые MOSFET с аналогичными предельными параметрами.

800-вольтовые MOSFET идеально подходят для источников питания и силовых инверторов, а в паре с выпускаемыми Central выпрямительными диодами семейства HyperFast обеспечивают непревзойденное быстродействие при компенсации сдвига фазы в приложениях коррекции коэффициента мощности. Устройства UltraMOS выпускаются как в стандартных для отрасли, так и в заказных корпусах.

CDM2206-800LR упаковываются в пеналы или пакеты и в партиях из 2000 транзисторов продаются по цене $0.74 за штуку. Единичные образцы можно заказать непосредственно у Central Semiconductor. В дополнение к 800-вольтовым устройствам, Central предлагает транзисторы UltraMOS с допустимыми напряжениями 600 В и 700 В.