Компания Samsung представила сверх-быстродействующую flash-память емкостью 1Gb. Память OneNand может быть использована в сотовых телефонах нового поколения и отличается от типичных flash-накопителей четырехкратным превосходством в скорости считывания, достигающей 108 Мб/с. При изготовлении чипов была использована 90нм технология. Ввод и вывод информации будет происходит на частоте 66-мГц. Кроме того, новый чип имеет 5 Кб кэш, что способствует ускорению считывания информации. О том, когда появятся первые модели телефонов с новой памятью пока не сообщается.
