23 декабря, 2002г. - Micron Technology, Inc., продемонстрировала первые чипы 1 Гигабит (Gb) синхронной динамической памяти (SDRAM) с удвоенной скоростью обмена данными (DDR), выполненные по 0,11 мкм техпроцессу. Чипы 1 Гб DDR SDRAM с напряжением питания 2,5В производятся в 400 mil(0,4 дюйма) TSOP корпусах и соответствуют передовым требованиям по пропускной способности для DDR SDRAM систем памяти.
Micron предлагает широкий ассортимент DDR SDRAM продуктов, чтобы обеспечить различные нужды настольных компьютерных систем, мобильных решений, сетевых и графических областей применения. Модули 1 Гб DDR SDRAM обеспечивают высокую пропускную способность и низкую латентность, одновременно повышая плотность записи, необходимую для будущих компьютерных систем класса "Hi-End", серверов и мэйнстримов. Первоначально, чипы 1 Гб DDR SDRAM будут использоваться при производстве 4Гбайтовых регистровых (registered) DIMM модулей, предлагая высокую плотность записи, применяемую при сборке серверов.
