Компания IXYS сообщила о начале производства сдвоенных 1200-вольтовых SiC диодов Шоттки DCG85X1200NA и DCG100X1200NA в полностью изолированных корпусах MiniBLOC (SOT-227).
Карбид кремниевые диоды Шоттки DCG85X1200NA и DCG100X1200NA рассчитаны на средние прямые токи 43 А и 49 А, соответственно, при температуре корпуса 80 °C. Оба прибора выдерживают обратное напряжение до 1200 В, а напряжение изоляции между выводами корпуса и теплоотводящим основанием составляет 3 кВ. Запатентованная IXYS технология обеспечивает низкое тепловое сопротивление корпуса. Использование новых диодов даст возможность повысить плотность мощности, снизить стоимость монтажа и уменьшить размеры решения.
Оба диода внутри корпуса электрически изолированы друг от друга, что позволяет свободно подключать их к общему источнику или соединять последовательно. Кроме того, положительный температурный коэффициент прямого напряжения упрощает параллельное соединение диодов при необходимости увеличения мощности приложения.
Типичными областями применения новых диодов будут высокоэффективные DC/DC преобразователи, инверторы солнечных батарей, системы бесперебойного питания и устройства быстрой зарядки.