С появлением ИС управления IRAC5001 стало возможным снижение числа MOSFET на 50% по сравнению с конкурентным решением, использующим полупроводниковые диоды в корпусе ТО-220. Использование транзисторов в корпусах DirectFET с двусторонним охлаждением позволяет снизить требуемый объем на 60%. Новое устройство содержит четыре параллельно соединенных 20-вольтовых MOSFET в корпусах DirectFETTM, имеющих сопротивление канала 2мОм, для создания узла с эквивалентным сопротивлением кнала 0.5мОм и временем реакции 130нс.
В новом комплекте реализована функция контроля транзисторов "FET Check", позволяющая оценивать их состояние в реальном масштабе времени для обеспечения максимальной надежности системы. Эффективность активного ORing узла является ключевым моментом для многих high-end систем где требуемотся максимальное время работы, такие как мобильное телекоммуникационное оборудование, системы серверов для телекоммуникационных систем и систем передачи данных. IR5001S является идеальной управляющей ИС для таких приложений как высоконадежные серверы и банки данных, где источники питания совместно работают на общую нагрузку.

Part Number | Rail Voltage (V) | Current (A) | Equivalent RDS(on) (mohms) | Featured Part | Description |
IRAC5001-HS100A | +12 | 100 | 0.5 | IR5001 | +12V, 100A, 0.5mohm Active ORing Reference Design |