International Rectifier представляет новое поколение средневольтовых радиационностойких MOSFET с улучшенным на 40% сопротивлением канала

Корпорация International Rectifier анонсировала новое поколение R6^TM высоконадежных силовых МОП-транзисторов для ответственных применений. Новые транзисторы в герметичных корпусах нормированы на напряжение сток-исток 100В, 150В, 200В и 250В и радиационную стойкость. С появлением этого поколения приборов DC/DC конверторы, привод и твердотельные коммутаторы для бортовой сети 24В или 48В космических аппаратов и ракет а также других объектов могут стать гораздо юолее компактными, надежными и эффективными. К примеру транзистор IRHNJ67130 с сопротивлением открытого канала 0.042 Oм существенно снижает потери на проводимость в источнике питания, а его низкий заряд затвора 35 нК уменьшает потери на переключение и значительно улучшает общий баланс потерь.

По сравнению с аналогами приборы поколения R6 нормированы на более высокий уровень устойчивости к одиночному импульсу излучения (SEE) с энергией до 90 MэВ. Все они оптимизированы для применения в гибридных модулях, отвечающих требованиям стандарта MIL-PRF-38534 класса "K", для аппаратуры низко-, среднеорбитальных и геостационарных ИСЗ и КА для миссий в дальнем космосе.

Приборы R6 выпускаются в корпусах для поверхностного монтажа, новых низкоомных версиях корпусов ТО-254 и ТО-257 и их Tab-less (безфланцевых) версиях, а также стандартных корпусах ТО254 и ТО-257.