Toshiba представляет МОП-транзисторы на 40 и 60 В на основе технологического процесса последнего поколения

Устройства на 40 и 60 В с технологией U-MOS-IX-H в корпусе DPAK обладают исключительно низким R_DS(ON) до 3.1 мОм.

Компания Toshiba Electronics Europe представила новые мощные МОП-транзисторы на 40 и 60 В на основе собственного технологического процесса формирования канавки полупроводниковых устройств последнего поколения (U-MOS-IX-H).

МОП-транзисторы TK3R1P04PL, TK4R4P06PL и TK6R7P06PL с каналом n-типа могут управляться сигналами логического уровня 4.5 В и обладают сверхнизким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(ON)), достигающим всего 3.1 мОм (при V_GS = 10 В). Устройства выпускаются в компактных корпусах DPAK и прекрасно подходят для применения в высокоэффективных силовых преобразователях, включая преобразователи переменного тока в постоянный, преобразователи постоянного тока, источники питания и приводы электродвигателей.

TK3R1P04PL представляет собой МОП-транзистор на 40 В с максимальным R_DS(ON) 3.1 мОм и максимальным током стока (I_D) 58 А (при температуре 25 °C). TK4R4P06PL и TK6R7P06PL рассчитаны на 60 В и имеют максимальные значения R_DS(ON) и I_D 4.4 мОм и 58 А и 6.7 мОм и 46 А, соответственно.

Конструкция всех новых МОП-транзисторов обеспечивает работу с низким выходным зарядом для дальнейшей оптимизации эффективности и рабочих характеристик.