РадиоЛоцман - Все об электронике

Alpha and Omega Semiconductor анонсировала новый P-канальный MOSFET для коммутаторов нагрузки портов USB PD

Alpha & Omega AONR21357

Надежное, универсальное решение для приложений коммутации нагрузки в системах, поддерживающих USB PD, с расширенным диапазоном входных напряжений

Alpha and Omega Semiconductor (AOS) сообщила о выпуске первого прибора нового семейства MOSFET. Усовершенствованный технологический процесс изготовления p-канальных транзисторов AONR21357 обеспечил снижение потерь мощности и повышение надежности запуска. Предельно допустимые для устройства напряжения сток-исток и затвор-исток составляют –30 В и –25 В, соответственно. Транзистор выпускается в корпусе DFN размером 3 × 3 мм со сниженным тепловым сопротивлением и при напряжении затвор-исток, равном –4.5 В, имеет сопротивление открытого не более 12.3 мОм. Новый p-канальный MOSFET идеально подойдет для приложений коммутации нагрузки в адаптерах ноутбуков и аналогичных устройствах.

Alpha & Omega - AONR21357

USB Type-C становится стандартом де-факто для новейших компьютеров и мобильных устройств. При этом для удовлетворения различных требований к электропитанию портативных устройств был внедрен стандарт USB-PD. Схемы коммутации нагрузки используются для включения/выключения питания по командам системы управления. При использовании в качестве переключателей нагрузки новые MOSFET обеспечат расширенные диапазоны входных и выходных напряжений и высокий уровень надежности во всех возможных режимах эксплуатации. Разработанная AOS технология изготовления MOSFET с обогащенным каналом p-типа, гарантируя уверенную работу в линейном режиме и низкий уровень плато Миллера (менее 3.5 В), полностью покрывает диапазон напряжений USB-PD.

Цена и доступность

AONR21357 освоены в серийном производстве и отгружаются через 12 недель после подтверждения заказа. В партиях из 1000 транзисторов цена одного прибора составляет $0.60.

На английском языке: Alpha and Omega Semiconductor Announces New P-Channel MOSFET for USB PD Load Switch

Изготовление 1-4 слойных печатных плат за $2

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -32,5А; 12Вт; DFN3x3
TMElectronics
Россия
AONR21357по запросу
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя