Vishay Intertechnology представляет новый 25-вольтовый N-канальный MOSFET с самым низким в мире сопротивлением канала

Устройство с сопротивлением открытого канала 0.58 мОм при напряжении затвора 10 В и низким зарядом затвора 61 нКл в компактном корпусе PowerPAK SO-8

Vishay Intertechnology представила новый мощный 25-вольтовый N-канальный MOSFET, основанный на IV поколении технологии TrenchFET, с наименьшим для своего класса приборов сопротивлением открытого канала: 0.58 мОм при напряжении затвора 10 В. Благодаря самому низкому произведению заряда затвора на сопротивление открытого канала (фактору качества) для приборов с сопротивлением канала ниже 0.6 мОм, использование транзистора SiRA20DP, выпускаемого подразделением Vishay Siliconix, позволит повысить КПД и плотность мощности многих приложений.

Новый прибор в корпусе PowerPAK SO-8 размером 6 мм × 5 мм на сегодня является единственным в мире 25-вольтовым MOSFET, максимальное сопротивление открытого канала которого равно 0.6 мОм. SiRA20DP имеет наименьший заряд затвора, равный 61 нКл, и на 32% лучший фактор качества – 0.035 Ом×нКл. Сопротивления каналов всех других 25-вольтовых N-канальных MOSFET, выпускаемых в настоящее время, как минимум на 11% выше.

Малое сопротивление канала SiRA20DP снижает потери проводимости и улучшает КПД системы в силовых схемах «ИЛИ» архитектур с резервированием питания. Отличный фактор качества нового устройства повысит переключательные характеристики DC/DC преобразователей в источниках питания телекоммуникационного и серверного оборудования, а также систем коммутации батарейных блоков и нагрузок на шинах питания 5 В и 12 В.

MOSFET подвергаются стопроцентной проверке на значение сопротивления затвора и соответствие требованиям стандарта UIS. Приборы отвечают предписаниям директивы RoHS и не содержат галогенов..

В настоящее время доступны как единичные образцы, так и промышленные партии SiRA20DP. Крупные заказы на поставку приборов выполняются в течение пятнадцати недель.