РадиоЛоцман - Все об электронике

International Rectifier представляет MOSFET транзисторы с быстрыми встроенными диодами для усовершенствованных ZVS схем

International Rectifier IRFPS38N60L IRFPS29N60L IRFP26N60L IRFP21N60L IRFP15N60L IRFB16N60L

International Rectifier представила новые 600В HEXFET® мощные MOSFET транзисторы с быстрыми встроенными диодами для "мягких" импульсных приложений, таких как схемы коммутации нулевого напряжения (ZVS). ZVS - это технология , используемая для увеличения КПД и обеспечивающая большие выходные мощности в импульсных блоках питания (SMPS). Данная техника широкого используется в современных высокоскоростных, широкополосных системах телекоммуникаций, где эффективность и надежность на первом плане.

Быстрые встроенные диоды в HEXFET MOSFET транзисторах L семейства исключают необходимость применения дополнительных диодов Шоттки и HV диодов в ZVS схемах, что снижает количество внешних компонент и занимаемое пространство. Новые устройства увеличивают надежность системы, т.к. встроенный диод является активным и проводит ток в течение части рабочего цикла, в отличие от мостовых или корректирующих мощность схем, где устройства обычно испытывают "жесткие" импульсы. Потери при включении в ZVS блоках питания исключаются при помощи включения MOSFET транзисторов в момент, когда их интегрированные диоды проводят ток.

New 600V L series MOSFETs IRFPS38N60L, IRFPS29N60L, IRFP26N60L, IRFP21N60L, IRFP15N60L, IRFB16N60L

Максимальное время восстановления встроенных диодов L семейства составляет менее чем 250нс, и даже меньше для слаботочных устройств. Более короткий период восстановления гарантирует, что интегральный диод полностью восстановится из проводящего в блокирующее состояние до того, как высокое напряжение будет приложено к устройству во время цикла выключения транзистора.

Новое 600В L семейство MOSFET
транзисторов
Вольтаж(В) Сопротивле-
ние(вкл.) мах (W)
Iпр@ 25°C(A) Iпр@ 100°C(A) Время восстан. мax. нс Qg(nC) Max dV/dt(V/ns) Rth j-c(°C/W) Корпус
IRFPS38N60L 600 0.150 38 24 250 320 13 0.22 Super-247TM
IRFPS29N60L 600 0.210 29 18 190 220 12 0.26 Super-247
IRFP26N60L 600 0.235 26 17 250 180 21 0.27 TO-247
IRFP21N60L 600 0.320 21 13 240 150 11 0.38 TO-247
IRFP15N60L 600 0.460 15 9.5 200 100 10 0.40 TO-247
IRFB16N60L 600 0.460 16 10 200 100 10 0.40 TO-220

Цены и условия поставки

Новые 600В HEXFET MOSFET транзисторы уже доступны. Цены начинаются от US $1.59 за IRFB16N60L в партиях от 10000 шт.

На английском языке: International Rectifier Introduces MOSFETs with Fast Body Diode Characteristics for Enhanced ZVS Operation

JLCPCP: 2USD 2Layer 5PCBs, 5USD 4Layer 5PCBs

IRFPS38N60L Купить ЦенаКупить IRFPS38N60L на РадиоЛоцман.Цены — от 88,16 до 1 883
10 предложений от 10 поставщиков
МОП-транзистор N-Chan 600V 38 Amp
AliExpress
Весь мир
IRFPG42 IRFP32N50K IRFPE40 FP4321 IRFP4321 IRFP340A IRFP360LC IRFP4468 IRFPS38N60L IRFP460LC IRFP360
88 ₽
Триема
Россия
IRFPS38N60L
International Rectifier
522 ₽
Варта
Россия
IRFPS38N60L
по запросу
T-electron
Россия и страны СНГ
IRFPS38N60L
Vishay
по запросу
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя