Integra Technologies анонсировала выпуск полностью согласованного GaN/SiC транзистора, отдающего мощность 50 Вт в частотном диапазоне 5…6 ГГц.
Изготавливаемый на карбид-кремниевой подложке нитрид-галлиевый HEMT транзистор IGT5259L50 с 50-омным согласованием входа и выхода, предназначенный для импульсных РЛС C-диапазона, способен отдавать пиковую мощность 50 Вт при напряжении на стоке 50 В. Устройство с усилением 14 дБ покрывает частотный диапазон 5.2…5.9 ГГц. КПД транзистора при излучении импульсов с коэффициентом заполнения 15% и длительностью 1 мс достигает 43%.
Транзистор выпускается в металлокерамическом корпусе с позолоченным крепежным фланцем, отвечающем требованиям директивы RoHS. Корпус, обеспечивающий отличное рассеяние тепла, имеет ширину 20.32 мм и длину 10.16 мм. Приборы проходят стопроцентную проверку на полной мощности в 50-омном радиочастотном измерительном тракте и удовлетворяют спецификациям стандарта MIL-STD-750D. Установка кристаллов в корпуса выполняется с помощью сертифицированных сборочных автоматов.
50-ваттный транзистор является идеальным решением для импульсных радарных систем C-диапазона, требующих быстрого включения и большого коэффициента усиления.
