International Rectifier представляет высоко эффективные, промышленные MOSFET транзисторы для бесперебойных источников питания и систем контроля двигателей

International Rectifier представила IRF8010 семейство HEXFET® мощных MOSFET транзисторов с сопротивлением перехода на 10% меньшим, чем у предыдущих устройств. Новые транзисторы имеют высокую плотность тока и низкое сопротивление включенного состояния (12 мОм).

Новые MOSFET транзисторы рассчитаны на повторный и импульсный поток энергии, EAR и EAS, при температуре до 175°C. Кроме этого они имеют минимизированную входную емкость и заряд перехода, что позволяет упростить схему драйвера при улучшении импульсной производительности. Характеристики производительности новых IRF8010 MOSFET транзисторов делают их идеальными для высокоэффективных блоков бесперебойного питания с изолированной топологией и для DC-DC преобразователей.

Новые устройства полностью протестированы и хорошо себя ведут в условиях повышенной температуры, обычно возникающей в системах контроля двигателей.

Температурные характеристики позволяют разработчикам проектировать надежные устройства, способные функционировать в экстремальных условиях.

Маркировка	VDSS	Сопр. перехода(ON)	Iпр	RthJ-C	Темп.	Корпус
IRF8010	100V	12mW	80A	0.57°C/W	175°	TO-220
IRF8010L	100V	12mW	80A	0.57°C/W	175°	TO-262
IRF8010S	100V	12mW	80A	0.57°C/W	175°	D2Pak

Цены и условия поставки

Новые транзисторы уже поступили в продажу по цене от US $0.624 за IRF8010 в 5000-х партиях.