Канадская компания GaN Systems представила самые сильноточные и энергоэффективные в отрасли 100-вольтовые GaN E-HEMT GS-010-120-1-T с сопротивлением открытого канала 5 мОм и максимальным током 120 А. По величине допустимого тока новый прибор в 1.3 раза превосходит 90-амперный транзистор, выпускаемый GaN Systems, и в 2.4…4.6 раз превосходит GaN приборы конкурентов. GS-010-120-1-T – это работающий в режиме обогащения мощный транзистор, изготавливаемый на эпитаксиальных структурах GaN на кремнии, в котором воплощены все преимущества конструкций кристалла и корпуса, созданных GaN Systems.
Этот революционный транзистор идеально подходит для расширяющегося рынка 48-вольтовых автомобильных, промышленных и энергетических приложений, где высокие уровни мощности должны сочетаться с малыми размерами. Вывод на рынок продуктов, подобных GS-010-120-1-T, позволяет, в частности, увеличить автономный пробег электрических транспортных средств, снизить расходы на эксплуатацию систем для возобновляемых источников энергии и сократить размеры высокоинтегрированного промышленного силового оборудования.
Кроме того, транзистор дает больше гибкости в выборе конструктивных решений и упрощает модернизацию оборудования. По выводам и размерам корпуса новый транзистор полностью совместим с выпускаемым GaN Systems 100-вольтовым 90-амперным GaN E-HEMT GS61008T, предоставляя потребителям удобную возможность увеличить мощность устройства, не внося изменений в печатную плату. Увеличение допустимой токовой нагрузки при тех же размерах позволит, сохранив прежний объем решения, повысить мощность системы на 33%.
