Крокус Наноэлектроника (КНЭ), современное производство микроэлектроники на пластинах 300 мм по завершающим стадиям полупроводникового производства, объявила о сотрудничестве с компаниями: Shanghai Huali Microelectronics Corporation (HLMC), ведущий контрактный производитель полупроводников в Китае и Adesto Technologies, ведущий поставщик энергонезависимых микросхем памяти с ультра-низким энергетическим потреблением. Цель сотрудничества – разработка новых продуктовых направлений микросхем для RFID, микроконтроллеров и микросхем памяти на основе технологии резистивной памяти, разработанной компанией Adesto – Conductive Bridging RAM (CBRAM).
Проприетарная технология CBRAM компании Adesto опробована в производстве энергоэффективных постоянных запоминающих устройств для «Интернета вещей», микроконтроллеров и других применений, энергетическое потребление которых значительно ниже технологии флеш-памяти. Кроме того, технология CBRAM обеспечивает улучшенную производительность по сравнению со стандартными технологиями энергонезависимой памяти.
Сочетание технологии CBRAM компании Adesto, начальных процессов 55 нм компании HLMC и завершающих процессов производства пластин 300 мм компании Крокус Наноэлектроника позволит организовать экономически эффективное производство встраиваемой памяти и микросхем запоминающих устройств.
Технологический процесс 55 нм является оптимальной кремниевой платформой производства устройств с низким энергопотреблением для «Интернета вещей». Клиенты могут использовать преимущества технологии CBRAM, улучшить энергетические параметры и быстродействие. Это соответствует требованиям устройств с батарейным питанием для «Интернета вещей» и носимых устройств, а также других автономных приборов с длительным сроком службы. Кроме того, сочетание технология RRAM компании Adesto и проектных норм 55 нм обеспечит повышение эффективности для встраиваемой памяти, т.к. RRAM память требует меньшего числа масок по сравнению с альтернативными технологиями.
«Компания HLMC обеспечивает для своих клиентов современные технологии и полный комплекс производственных услуг. Совместно с Adesto и CNE мы стремимся сделать эту продвинутую технологию доступной для широкого рынка и растущего числа применений, – сказал Джек Ци Шу, исполнительный вице-президент компании HLMC. – Мы ожидаем быстрый выход на проектную мощность на 55 нм, а также оцениваем потенциал для снижения проектных норм».
«Технология CBRAM является идеальной встраиваемой энергонезависимой памятью для устройств Интернета вещей с ультра-низким энергопотреблением. Мы рады, что наши компании теперь смогут включать CBRAM в широкий спектр продуктов, которые будут иметь преимущества от высокой плотности записи, – сказал Венкатеш (“P.G.”) Гопинатх, вице-президент компании Adesto по исследованиям и разработке технологии CBRAM. – Вместе с HLMC и CNE, мы сможем развивать новые семейства продуктов, конкурентоспособных благодаря передовой технологии памяти».
«Крокус Наноэлектроника сфокусирована на инновационных технологиях постоянных запоминающих устройств, включая MRAM и RRAM, и мы готовы к работе с нашими клиентами для продвижения на рынке продуктов на основе технологии CBRAM, – прокомментировал Владимир Крупник, заместитель генерального директора по развитию бизнеса компании Крокус Наноэлектроника. – Мы уже убедились в том, что потенциальные заказчики проявляют большой интерес к этой технологии для RFID, микроконтроллеров и других применениях».
Adesto – первая компания, которая вывела на рынок продукт на основе технологии резистивной RAM памяти – семейство микросхем Mavriq серийной EEPROM. Последующее семейство микросхем Moneta было разработано для энергоэффективных решений. Оба семейства микросхем Mavriq и Moneta созданы на основе технологии CBRAM.
