STMicroelectronics выпускает N-канальный MOSFET на напряжение 600 В

STW55NM60ND – N-канальный MOSFET на напряжение 600 В в стандартном корпусе TO-247, с хорошим значением сопротивления в прямом направлении - 60 мОм для MOSFET с быстрым восстановлением. Пиковый ток стока - 51 A позволяет одному MOSFET заменить множество компонент в преобразователях, имеющих жесткие ограничения по габаритам, типа систем связи и серверов.

Все это, в сочетании с преимуществами в решении тепловых проблем за счет снижения потерь, позволяет существенно поднять плотность мощности. Для улучшения характеристик ST модифицировал архитектуру своего FDmesh super-junction путем объединения вертикальной конструкции MOSFET с типовой полосковой структурой, имеющей, к тому же, более устойчивый к внешним воздействиям и наибольшее быстродействие встроенный диод. Благодаря минимизации емкости, заряда и входного сопротивления затвора кроме уменьшения величин прямого сопротивления и времени восстановления повысилась частота переключения транзистора и снизилась мощность возбуждения.

Отличительные особенности:

• напряжение сток-исток: 600 В;
• максимальный длительный ток: 51 А;
• сопротивление в прямом направлении: 0,06 Ом;
• температурный диапазон: -55°C...+150°С;
• тип корпуса: TO-247.

Функциональная схема STW55NM60ND.

Области применения: управление силовыми установками, управление мощными высоковольтными исполнительными приводами.