Оптимальная энергонезависимая память для регистрации данных в реальном времени в таких приложениях, как 3D позиционирование в автомобильных навигаторах
Fujitsu Semiconductor сообщила о завершении разработки микросхемы MB85RS4MT – 4-мегабитного сегнетоэлектрического ОЗУ (FRAM) с самой большой емкостью в семействе FRAM с последовательным интерфейсом. Микросхема запущена в массовое производство.
С ростом количества информации, собираемой с датчиков, и расширением сферы граничных вычислений растет потребность в микросхемах с увеличенным количеством циклов чтения/записи, сокращенным временем записи данных и большей плотностью памяти. Новый продукт должен удовлетворить запросы потребителей, которых не устраивают существующие EEPROM.
MB85RS4MT является оптимальным устройством для различных приложений, работающих в реальном времени или требующих частой записи данных, таких как автомобильные навигаторы и регистраторы, промышленные роботы, системы числового программного управления, измерительное оборудование, интеллектуальные приборы учета и бытовая техника.
Теперь Fujitsu начала производство 4-мегабитных FRAM MB85RS4MT с наибольшей емкостью в линейке выпускаемых компанией FRAM с последовательным интерфейсом. В течение примерно 20 лет Fujitsu Semiconductor серийно выпускает микросхемы энергонезависимой памяти FRAM, обеспечивающие большое количество циклов обращения, высокую скорость записи и низкое потребление мощности.
Эти FRAM гарантированно выдерживают 10 трлн циклов чтения/записи, что примерно в 10 млн раз больше, чем конкурирующие микросхемы энергонезависимой памяти – EEPROM.
При таком огромном количестве циклов память перестает быть узким местом конструкции, разрабатываемой потребителем, даже если MB85RS4MT используется в качестве памяти для частой записи данных или для граничной обработки информации сетевых датчиков.
Кроме того, высокая скорость записи FRAM обусловлена тем, что эта операция выполняется путем перезаписи, то есть, без предварительного стирания информации, в то время как обычная энергонезависимая память, подобная EEPROM и Flash, требует дополнительного времени на операцию стирания, предшествующую записи.
Высокое быстродействие помогает защищать данные от резких провалов напряжения, возникающих в процессе выполнения операции записи.
Благодаря широкому диапазону напряжений питания от 1.8 В до 3.6 В, в конечном продукте потребителя MB85RS4MT может использоваться совместно с периферийными электронными компонентами, питающимися от любого напряжения между 1.8 В и 3.6 В. Микросхема отличается очень низкими рабочими токами, не превышающими 250 мкА на частоте 1 МГц, а максимальный ток покоя составляет 50 мкА. Таким образом, низкие значения рабочего напряжения и тока дают основание отнести MB85RS4MT к категории устройств с низким энергопотреблением.
Микросхема выпускается в стандартном для отрасли 8-выводном корпусе SOP, что позволяет без внесения изменений в печатную плату легко заменять существующие EEPROM в корпусах SOP-8.
В апреле 2018 года Fujitsu Semiconductor анонсировала микросхемы FRAM с нижним диапазоном рабочих температур –55 °C, а в июне – новые параллельные 8-мегабайтные FRAM. Теперь же Fujitsu предлагает последовательные FRAM емкостью 4 Мбит с интерфейсом SPI. Fujitsu продолжает решать проблемы своих клиентов, разрабатывая продукты, оптимизированные для различных приложений.
Основные характеристики MB85RS4MT
- Емкость (конфигурация): 4 Мбит (512K × 8 бит);
- Интерфейс: SPI;
- Рабочая частота: максимум 40 МГц;
- Диапазон рабочих напряжений: от 1.8 В до 3.6 В;
- Диапазон рабочих температур: от –40 °C до +85 °C;
- Гарантированное число циклов чтения/записи: 10 трлн (1013 раз).
