Меньшие потери и большие скорости переключения обеспечивают высокий КПД, компактные размеры и низкую стоимость решений
ON Semiconductor расширила свое семейство карбидокремниевых (SiC) диодов Шоттки устройствами, созданными специально для тяжелых условий эксплуатации в автомобильном оборудовании. Новые SiC диоды, отвечающие требованиям автомобильного стандарта AEC-Q101, обеспечивают уровень надежности, необходимый для современных автомобильных приложений, и дают многочисленные преимущества, связанные с большой шириной запрещенной зоны.
SiC отличаются от кремниевых устройств лучшей характеристикой переключения и более высокой надежностью. У диодов нет времени обратного восстановления, а коммутационные характеристики не зависят от температуры. Отличные тепловые параметры, повышенная плотность мощности и сниженный уровень излучаемых помех, а также меньшие размеры и стоимость системы делают SiC приборы привлекательной заменой для высокоэффективных автомобильных приложений.
Новые диоды выпускаются в популярных корпусах для поверхностного монтажа и монтажа в отверстия типов TO-247, D2PAK и DPAK. 1200-вольтовые диоды первого поколения FFSHx0120 и 650-вольтовые приборы второго поколения FFSHx065 имеют нулевое время обратного восстановления, низкое прямое напряжение, не зависящую от температуры стабильность тока, сверхнизкий ток утечки, высокую перегрузочную способность и положительный температурный коэффициент. Они не только повышают КПД, но и уменьшают размеры требуемых магнитных компонентов за счет большей частоты переключения, обусловленной быстрым восстановлением.
Для соответствия требованиям надежности, предъявляемым к электрооборудованию автомобилей, диоды спроектированы так, чтобы выдерживать большие импульсные токи. Кроме того, они содержат уникальные запатентованные согласующие структуры, повышающие надежность и улучшающие стабильность характеристик. Приборы рассчитаны на работу при температуре перехода от –55 °C до +175 °C.
