РадиоЛоцман - Все об электронике

International Rectifier выпускает серию MOSFET-транзисторов с ультранизким сопротивлением открытого канала

Представляем вам MOSFET-транзисторы International Rectifier, предназначенные для применения в силовых преобразовательных устройствах промышленных и телекоммуникационных источников питания, источниках бесперебойного питания, электроприводе с батарейным питанием и силовой автоэлектронике.

Серия силовых MOSFET-транзисторов на напряжение сток-исток от 20 В до 60 В с ультранизким сопротивлением открытого канала (Rds(on)) является эффективным средством решения задач по минимизации потерь проводимости в силовых преобразовательных устройствах.

Преимущества MOSFET транзисторов данных серий:

  • новейшая Trench-технология кристалла с ультранизким удельным сопротивлением канала ячейки;
  • снижение сопротивления открытого канала до 2.5 раза по сравнению с предыдущим поколением;
  • лучшие показатели сопротивления открытого канала в отрасли без применения дорогих низкоомных корпусов и специальных схем разварки кристалла;
  • высокие динамические характеристики и низкая мощность управления;
  • высокая устойчивость к лавинному пробою. 

Наименование

Канал

Vds

Rds(on), тип., 10В

Qg, тип.

Id (T=25°C)

Корпус

IRLR3717PBF

N

20 В

3.4 мОм

21 нК

30 А

D-PAK

IRLR8259PBF

N

25 В

6.3 мОм

6.8 нК

42 А

D-PAK

IRLU8259PBF

N

25 В

6.3 мОм

6.8 нК

42 А

I-PAK

IRLR8256PBF

N

25 В

4.2 мОм

10 нК

50 А

D-PAK

IRLU8256PBF

N

25 В

4.2 мОм

10 нК

50 А

I-PAK

IRLR8726PBF

N

30 В

4.0 мОм

15 нК

50 А

D-PAK

IRLR8729PBF

N

30 В

6.0 мОм

10 нК

50 А

D-PAK

IRLR8721PBF

N

30 В

6.3 мОм

8.5 нК

50 А

D-PAK

IRLU8721PBF

N

30 В

6.3 мОм

8.5 нК

50 А

I-PAK

IRLB8721PBF

N

30 В

6.5 мОм

7.6 нК

62 А

TO-220AB

IRLB8743PBF

N

30 В

2.5 мОм

36 нК

78 А

TO-220AB

IRLB8748PBF

N

30 В

3.8 мОм

3.8 нК

78 А

TO-220AB

IRF3709ZSPBF

N

30 В

6.4 мОм

27 нК

90 А

D2-PAK

IRL8113SPBF

N

30 В

4.8 мОм

23 нК

105 А

D2-PAK

IRLP3034PBF

N

30 В

1.4 мОм

108 нК

195 А

TO-247AC

IRLR3114ZPBF

N

40 В

3.9 мОм

40 нК

42 А

D-PAK

IRFU4104PBF

N

40 В

4.3 мОм

59 нК

42 А

I-PAK

IRFU3504ZPBF

N

40 В

7.3 мОм

30 нК

77 А

I-PAK

IRFR4104PBF

N

40 В

4.3 мОм

59 нК

119 А

D-PAK

IRFS3004PBF

N

40 В

1.4 мОм

160 нК

195 А

D2-PAK

IRLR2905ZPBF

N

55 В

13.5 мОм

23 нК

42 А

D-PAK

IRFU3806PBF

N

60 В

12.6 мОм

22 нК

43 А

I-PAK

IRFR1018EPBF

N

60 В

7.1 мОм

46 нК

79 А

D2-PAK

IRFS3306PBF

N

60 В

3.3 мОм

85 нК

120 А

D2-PAK

Изготовление плат и монтаж компонентов для вашего проекта от $2. Получи купон на скидку: JLCNY

Запись онлайн конференции - Путь к созданию SDR III. Третий главный технологический шаг в создании платформы SDR
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя