Компания Diodes сообщила о выпуске семейства NPN и PNP мощных биполярных транзисторов с повышенной плотностью мощности в миниатюрных корпусах размером 3.3 мм × 3.3 мм, предназначенных для приложений с напряжениями до 100 В и токами до 3 А. NPN и PNP транзисторы уменьшенного размера обеспечивают увеличение плотности мощности в схемах драйверов силовых MOSFET и IGBT, в линейных понижающих DC/DC регуляторах, LDO стабилизаторах с PNP транзисторами и в коммутаторах нагрузки.
Транзисторы серий DXTN07xxxxFG (NPN) и DXTP07xxxxFG (PNP), предназначенные для рынков как промышленных, так и коммерческих приложений, рассеивают мощность 2 Вт и имеют диапазон допустимых напряжений коллектор-эмиттер от 25 В до 100 В. Максимальная рабочая температура перехода транзисторов составляет +175 °C. Транзисторы выпускаются в компактных корпусах для поверхностного монтажа PowerDI3333 размером всего 3.3 мм × 3.3 мм, занимая на 70% меньше места на печатной плате, чем приборы в традиционных корпусах SOT223, и способны при этом рассеивать такую же мощность за счет лучшей термической эффективности.
Наличие смачиваемых торцов выводов корпуса PowerDI3333 повышает пропускную способность линий производства печатных плат, устраняя необходимость в рентгеновском контроле и позволяя выполнять быстрый автоматический оптический контроль паяных соединений.
Вся линейка транзисторов DXTN07xxxxFG и DXTP07xxxxFG запущена в предсерийное производство. Сертификация новых приборов на соответствие требованиям автомобильных стандартов будет завершена к концу первого квартала 2019 года. Цена одного транзистора в партии из 5000 штук составляет $0.19.
